Несимметричное окружение

Cтраница 1

Несимметричное окружение приводит к расщеплению энергетических уровней, которые являются вырожденными у изолированного иона. Это явление особенно характерно для более тяжелых переходных элементов, у которых внутриионное спаривание спинов осуществляется наиболее легко. [1]

Зависимость расщепления от параметра т ]. [2]

При несимметричном окружении уравнения для расчета усложняются. [3]

Ядро металла поверхностного слоя имеет несимметричное окружение. Установлено, что над поверхностью металла должен существовать отрицательный заряд [ J, 3, 73, 76 ], а непосредственно под поверхностью - заряд противоположного знака. Разность потенциалов, возникающая вследствие наличия такого двойного электрического слоя, называется поверхностным потенциалом s, и s ( Х0 - Хг) / е, где Х0 и Xi - соответственно наружный и внутренний электростатические потенциалы. Электрический потенциал зависит от структуры. [4]

Однако несимметричные колебания лигандов или несимметричное окружение центрального иона металла приводят к нарушению этих правил и появлению линий поглощения. [5]

Корреляция между каталитической активностью металлов при дегидрировании этилена и процентом rf - электронов, участвующих в образовании металлической связи. [6]

Расчет энергии поверхностных координационных связей осложняется тем, что в несимметричном окружении d - орбитали не являются эквивалентными и делятся на две группы и более. Так, в октаэдрических комплексах d - орбитали делятся на две прулпы: в первую группу входят dzz и е - - орбитали, участвующие в образовании координационной связи, а во вторую - dxy -, dxz - и dyz - орбитали, образующие металлическую связь. Развитие химии координационных комплексов металлов - координационных соединений, в центре которых находятся три и более связанных между собой атома металла, стимулировало поиск аналогичных поверхностных комплексов при хемосорбции соответствующих лигандов. Известен и совершенно иной подход к адсорбции на металлах, в котором, предполагается, что хемо-сорбция молекул адеорбата обусловлена непрямым взаимодействием при участии электронов проводимости. [7]

При наличии нескольких стереоизомерных путей р-ции стереоселективность может возникнуть в результате несимметричного окружения двух - или многоцентрового реагирующего фрагмента, если к. [8]

Вследствие образования атомом урана двух более прочных связей вокруг атома Mg формируется аналогичное и необычно несимметричное окружение: Mg-20 1 98 А; Mg-40 2 19 А. [9]

Наблюдавшееся большое квадрупольное расщепление при неравной интенсивности пиков было приписано наличию большого градиента поля, возникающего из-за несимметричного окружения ионов, находящихся на поверхности. [10]

Цепи в кристаллической структуре Pads. [11]

При нейтронографическом исследовании UF6 [6] установлено значительное отклонение координации от октаэдрической: пять расстояний U-F близки 1 91 А, а шестое равно 2 28 А, что было объяснено несимметричным окружением молекул в структуре. [12]

Спектр ЭПР ион-радикала ОТ был зарегистрирован в твердой фазе. Из-за несимметричного окружения пх - и ям-орбитали невырождены. Если внешнее поле направлено параллельно оси у, в орбитальном движении должна участвовать cr - орбиталь. Если поле направлено параллельно оси г, в орбитальном движении участвуют лх - и % - ор-битали. [13]

Спектр ЭПР ион-радикала О - был зарегистрирован в твердой фазе. Из-за несимметричного окружения пх - и % - орбитали невырождены. Если внешнее поле направлено параллельно оси у, в орбитальном движении должна участвовать 0-орбиталь. Если поле направлено параллельно оси z, в орбитальном движении участвуют пх - и Яу-ор-битали. [14]

Квартет, который мог бы возникнуть благодаря взаимодействию Хе131 - F19, не наблюдается. Это указывает на несимметричное окружение ядра ксенона и согласуется с сохранением квадратноплоской структуры растворенной молекулы. Такому объяснению соответствует отношение интенсивностей центральной линии и сателлитов. Различия в химических сдвигах между соединением в кристаллическом и растворенном состояниях разумно приписать воздействию силового поля кристалла. [15]

Страницы: 1 2