Пунктирная окружность

Cтраница 3

Сущность явления адсорбции заключается в действии нескомпенсированных сил Ван-дер - Ваальса ( или межмолекулярных сил), слагающихся из ориентационных, индукционных и дисперсионных сил. Поле этих сил на рис. 13 условно обозначено пунктирными окружностями. [31]

Ближайшие к ней противоионы образуют штерновский слой и связаны с частицей как адсорбционными, так и электростатическими силами. Эти два слоя ( отмеченные на рис. 37 пунктирной окружностью меньшего радиуса) обычно неподвижно связаны с частицей и участвуют непосредственно в ее движении. Разность величин этих зарядов дает заряд частицы, который компенсируется остальными противоионами, диффуз-но распределенными в слое Гун - Чепмена. На рис. 37 этот слой условно показан пространством между двумя пунктирными окружностями. Ионы диффузного слоя не всегда движутся вместе с частицей, что, как мы увидим далее, играет существенную роль в ее особых свойствах. [32]

Пример сосчитан для значений параметров, близких к параметрам второго советского спутника. Начало координат - след перигейной касательной на единичной сфере, сплошная кривая - след вектора кинетического момента, пунктирная окружность - след оси спутника, если закрепить вектор кинетического момента. Разомкнутость траектории 6 ( А), как будет показано ниже, объясняется вековой эволюцией перигея орбиты. Все петли этой кривой мало отличаются друг от друга, так что при изменении угла А, на 2я угол 6 принимает значение, близкое к исходному. [33]

Пусть из графика распределения напряженности поля получено: & б 0 2; / о / А. Соединяем прямой линией ( прозрачной линейкой) центр диаграммы с точкой 0 4 на внутренней окружности и в месте пересечения пунктирной окружности k § 0 2 этой прямой считываем значения Rfp и Х / р по двум ортогональным окружностям, пересекающимся в той же точке. [34]

График для. [35]

А, 0 4 и минимум сдвинут к нагрузке; волновое сопротивление линии р 50 ом. Соединяем прямой линией ( прозрачной линейкой) центр диаграммы с точкой 0 4 на внутренней окружности и в месте пересечения пунктирной окружности & б 0 2 этой прямой считываем значения Rip и А / р по двум ортогональным окружностям, пересекающимся в той же точке. [36]

Напряжение измеряемой частоты / изм подается на модулятор осциллографа ( катод трубки) и меняет яркость пятна на экране с измеряемой частотой. Если измеряемая частота в целое число раз больше образцовой частоты, пятно при своем движении по окружности меняет яркость и можно наблюдать пунктирную окружность. [37]

Если предположить, что верхняя сторона рис. XVI смотрит на север, то там будут представлены силовые линии и эквипотенциальные поверхности, возмущенные поперечно намагниченным цилиндром, северная сторона которого направлена на восток. Результирующая сила стремится повернуть цилиндр с востока на север. Большая пунктирная окружность представляет сечение цилиндра из кристаллического вещества, у которого коэффициент индукции вдоль оси, направленной с северо-востока на юго-запад, больше, чем вдоль оси, направленной с северо-запада на юго-восток. Пунктирные линии внутри окружности изображают линии индукции и эквипотенциальные поверхности, которые теперь уже пересекаются не под прямым углом друг к другу. Действующая на цилиндр результирующая сила, очевидно, стремится повернуть его с востока на север. [38]

Идеальный ( в и дефектный ( б молекулярный кристалл.| Искажения, появляющиеся в структуре в результате замещения одного из атомов основного вещества посторонним атомом. [39]

Оси молекул расположены перпендикулярно плоскости чертежа. На рис. 260, б порядок расположения молекул нарушен, хотя центры тяжести их остались на своих местах. Пунктирной окружностью на рис. 260, б показана вакансия, образовавшаяся в результате отсутствия одной из молекул. [40]

На втором графике мы вновь имеем два точечных заряда, относящихся как 20 к 5, но один из них положительный, а другой отрицательный. В этом случае одна из эквипотенциальных поверхностей, а именно та, что соответствует нулевому потенциалу, является сферой. На графике она изображена пунктирной окружностью Q. Важная роль этой сферической поверхности станет ясна далее, когда мы дойдем до теории электрических изображений. [41]

Для идеального газа учитываются только силы отталкивания в виде размера жесткой молекулы, так что зависимость ип ( х) в этом случае можно представить так, как это показано на рис. 4.2, в. Уравнение состояния для такого газа легко вывести из уравнения Клапейрона, если учесть силы отталкивания, обусловленные собственным объемом молекул, и силы притяжения, которые проявляются в виде некоторой добавки к давлению. Если рассматривать только парные взаимодействия, то, как видно из рис. 4.2, г, для каждой из двух соударяющихся молекул объем сферы радиусом d ( пунктирная окружность) является недоступным; этот объем равен учетверенному объему взаимодействующих молекул. Следовательно, вместо объема v для 1 кг реального газа имеем меньший объем ( и - Ь), где b - учетверенный суммарный объем молекул. В отличие от сил отталкивания, которые проявляются лишь при взаимодействии, силы притяжения являются дальнодействующими и охватывают своим влиянием группу молекул. [42]

Схематическое изображение линий тока. [44]

На рис. 1 - 12 представлена картина линий тока при переходе его из одной контактной поверхности в другую. Действительно, влияние соседних площадок на искривление линий тока в области, представленной на рис. 1 - 12 пунктирной окружностью, даже при сравнительно близком расположении площадок, сравнительно невелико. Как показывают расчеты, переходное сопротивление при сравнительно небольших давлениях определяется ближайшей к площадке областью тела контактов. При очень больших давлениях в контактном соединении принятое Приближение может дать ощутимую погрешность. [45]

Страницы: 1 2 3 4