Оксид - иттрие
Cтраница 3
Поверхность кристалла, выращенного из расплава с избытком оксида иттрия, покрыта редкой сетью бороздок глубиной до 0 05 см. Кристалл, выращенный из расплава стехиометрического состава, покрыт более развитыми субпараллельными бороздками глубиной до 0 1 см. У кристаллов, выращенных из расплавов, обогащенных оксидом алюминия, вся боковая поверхность протравлена, бороздки сливаются между собой, образуя густую сеть. [31]
ЭВИ-1 с присадкой 1 5 - 2 3 % оксида иттрия обеспечивают более легкое зажигание дуги и малый расход электродного металла. Вольфрамовые электроды применяют также для плазменной резки, когда плазмообразующий газ не содержит кислорода. В качестве материала для электродов, работающих в кислородсодержащих средах, используют гафний и цирконий. Хотя теплофизические свойства этих материалов значительно ниже чем у вольфрама ( теплопроводность и температура плавления), они менее подвержены окислению в кислородсодержащих средах. Для улучшения теплоотвода и повышения термической стойкости при высокой температуре электроды из гафния или циркония заключают в специальные медные державки, укрепленные в плазмотронах. Кроме вольфрама, гафния и циркония неплавящимися электродами служат угольные и графитизированные стержни, применяемые для воздушно-дуговой резки стали и сварки меди. Угольные электроды изготовляют путем прессования и последующей термической обработки угольного порошка. Их изготовляют в виде стержней круглого и прямоугольного сечения. Для воздушно-дуговой резки изготовляют стержни круглого сечения марки ВДК, диаметром 6, 8, 10, 12 мм и длиной 300 мм, а также плоские стержни марки ВДП, сечением 5x12 и 5X18 мм и длиной 350 мм. Для сварки изготовляют круглые стержни диаметром 4 - 18 мм и длиной 250 мм. Для улучшения теплофизических свойств и большей стойкости угольные стержни подвергают графитизации путем термической обработки при температуре 2600 С. Графитизация уменьшает омическое сопротивление электродов в 4 раза, поэтому они меньше нагреваются, меньше окисляются ( сгорают) и применяются при токе большей величины. Для этой же цели применяют омеднение поверхности электродов. [32]
Марки: ЦИС-1 и ЦИС-2 - цирконистые, стабилизированные оксидом иттрия среднеплотные. Предназначены для службы в качестве футеровки высокотемпературных установок с рабочей температурой до 2300 С. [33]
Тигель расположен в молибденовой трубе и не контактирует с засыпаемым оксидом иттрия. Малая ( 0 3 - 0 5 мм) толщина трубы делает ее полупрозрачной для высокочастотного электромагнитного поля и не затрудняет нагрев тигля. В то же время молибденовая труба служит дополнительным тепловым экраном, так как разогревается до высокой температуры. Продукты испарения расплава А12О3 не доходят до теплоизолирующей засыпки из УгОз, а конденсируются на трубе. [34]
 |
Температурная зависимость намагниченности насыщения иттрий - галлиевого феррограната.| Свойства монокристаллов феррогранатов при комнатной температуре. [35] |
Основные параметры приведены в табл. 9.10. В его составе отсутствует оксид иттрия и сопутствующие ему примеси РЗЭ. [36]
Газообразные продукты диссоциации А12О3 взаимодействуют также с теплоизолирующей керамикой из оксида иттрия, которая обычно размещается вокруг тигля. Это взаимодействие ведет к обогащению засыпки оксидом алюминия и образованию низкотемпературной эвтектики. [38]
Газообразные продукты диссоциации А12Оз взаимодействуют также с теплоизолирующей керамикой из оксида иттрия, которая обычно размещается вокруг тигля. Это взаимодействие ведет к обогащению засыпки оксидом алюминия и образованию низкотемпературной эвтектики. [40]
Механизм образования такой зоны подобен описанному выше для случая с избытком оксида иттрия. [41]
 |
Диаграмма состояния У2Оз - А. 2Оз. [42] |
Диссоциация и испарение А1203 при выращивании кристаллов ИАГ способствуют обогащению расплава оксидом иттрия, упругость паров которого значительно ниже, чем паров оксида алюминия. Если исходный состав шихты соответствует ИАГ, то в результате нарушения стехиометрии образуется сверхстехиометри-ческий избыток оксида иттрия. Отклонение от стехиометрии имеет предел, за которым избыточный компонент не оттесняется, а образуется обогащенная этим компонентом новая фаза. [43]
 |
Диаграмма состояния. 203 - AljOs. [44] |
Диссоциация и испарение А12Оз при выращивании кристаллов ИАГ способствуют обогащению расплава оксидом иттрия, упругость паров которого значительно ниже, чем паров оксида алюминия. Если исходный состав шихты соответствует ИАГ, то в результате нарушения стехиометрии образуется сверхстехиометри-ческий избыток оксида иттрия. Отклонение от стехиометрии имеет предел, за которым избыточный компонент не оттесняется, а образуется обогащенная этим компонентом новая фаза. [45]
Страницы: 1 2 3 4