Cтраница 4
Последовательность расположения линий на рисунке соответствует повышению устойчивости оксидов по мере увеличения отрицательных значений их энергий Гиббса образования. Простое вещество, которое образует более устойчивый оксид, является поэтому потенциальным восстановителем для менее устойчивого оксида. Иначе говоря, оксид будет восстанавливаться простым веществом, для которого линия AG образования оксида расположена ниже. [46]
Последовательность расположения линий на рисунке соответствует повышению устойчивости оксидов по мере увеличения отрицательных значений их изобарных потенциалов образования. Простое вещество, которое образует более устойчивый оксид, является поэтому потенциальным восстановителем для менее устойчивого оксида. Иначе говоря, оксид будет восстанавливаться простым веществом, для которого линия ДО образования оксида расположена ниже. [47]
Большое влияние на интенсивность окисления сплава оказывает химическое взаимодействие образующихся, оксидов. В результате таких реакций может возникать более устойчивый оксид сложного состава. В зависимости от состава компонентов сплава, а также и от внешних условий, по крайней мере лишь часть оксидной пленки может состоять из сложного оксида. Интенсивность диффузии реагирующих компонентов в сложных оксидах и шпинелях часто является более слабой, чем в оксидах простого состава. Такие сложные оксиды часто встречаются на поверхности коррозионно-стойких сплавов. [48]
Основное внимание было уделено выбору поглотительного раствора. Известно, что рений образует несколько устойчивых оксидов Re2O7, ReO3 и ReOa, из которых только RezO. Во всех случаях после сожжения содержимое колбы энергично встряхивали. [49]
Последовательность расположения линий на рисунке соответствует повышению устойчивости оксидов по мере увеличения отрицательных значений их энергий Гиббса образования. Простое вещество, которое образует более устойчивый оксид, является поэтому потенциальным восстановителем для менее устойчивого оксида. Иначе говоря, оксид будет восстанавливаться простым веществом, для которого линия ДО образования оксида расположена ниже. [50]
Последовательность расположения линий на рис. 130 соответствует повышению устойчивости оксидов по мере увеличения отрицательных значений их энергий Гиббса Образования. Простое вещество, которое образует более устойчивый оксид, является поэтому потенциальным восстановителем для менее устойчивого оксида. [51]
Последовательность расположения линий на рисунке соответствует повышению устойчивости оксидов по мере увеличения отрицательных значений их энергий Гиббса образования. Простое вещество, которое образует более устойчивый оксид, является поэтому потенциальным восстановителем для менее устойчивого оксида. Иначе говоря, оксид будет восстанавливаться простым веществом, для которого линия AG образования оксида расположена ниже. [52]
Последовательность расположения линий на рисунке соответствует повышению устойчивости оксидов по мере увеличения отрицательных значений их изобарных потенциалов образования. Простое вещество, которое образует более устойчивый оксид, является поэтому потенциальным восстановителем для менее устойчивого оксида. Иначе говоря, оксид будет восстанавливаться простым веществом, для которого линия ДО образования оксида расположена ниже. [53]