Омич

Cтраница 2

При этом для постоянного тока под сопротивлениями надлежит понимать омич. [16]

Шайба крепится на опорном кольце, с к-рым образует омич. Благодаря малым размерам чувствит. Gc обладает высокой разрешающей способностью, что делает его пригодным, напр. [17]

Включение выпрямителей для измерения силы переменного тока. [18]

Схема возбуж-и что в каждой из них включены равные омиче - дения трехфазного тока, ские сопротивления У. [19]

С повышением f до нек-рой Tk почти внезапно появляется заметное омич. [20]

С повышением t до некоторой Tk почти внезапно появляется заметное омич. [21]

В при плотности тока 0 01 А-см - 2) и омич. [22]

По итогам второго тура конкурса определились два победителя - упомянутый Сергей Горбунов и 38-летний омич Виктор Вос-серт, на котором и был остановлен окончательный выбор. И что важно подчеркнуть: все убеждены, что выбор правилен. В выборе принимало участие примерно 10 % общего состава трудового коллектива. Делегатами от цехов и подразделений были избраны авторитетнейшие работники, выражающие мнение всего коллектива. [23]

Джоуля; отличие их от первых состоит в том, что в них для измерительных целей используется увеличение омич. Коген), платинированной кварцевой нити ( Кбпсель) и других металлов. [24]

Малая толщина диффузионного слоя позволяет также разложить необратимую часть потенциала ячейки на сумму поверхностного перенапряжения, концентрационного перенапряжения и омиче. Свойства поверхностного перенапряжения обсуждались в разд. [25]

При разомкнутой внешней цепи между концами капилляра возникает разность потенциалов ( потенциал течения), величина к-рого определяется следующим условием: обратно направленный омич. [26]

Измерение дифференц. прямого сопротивления диода. М - эдс на частоте сигнала ш. ш. / Д. l ( oC6. uL. Д Д. 1 / шС Д0. [27]

ДИОД УПРАВЛЯЕМЫЙ ( controlled diode; diode a commande; Regeldiode) - однопереход-ный плоскостной транзистор, в к-ром ток основных носителей заряда, протекающий между двумя омич. Если на эмиттер подано обратное напряжение, то ток через него мал и распределение потенциала вдоль пластинки ПП будет линейным. [28]

Эквивалентная схема р - / г-перехода. [29]

Когда Д / 7 мало по сравнению с концентрацией равновесных основных носителей п0 - N ( малый уровень инжекции), то UT Irs, где rs - омич. [30]

Страницы: 1 2 3 4