Cтраница 1
![]() |
Кристалл сегнетовой соли.| Зависимость между Р и. для сегнетовой соли ( а и гидрофосфата калия ( б при различных температурах. [1] |
Опасность пробоя сильно возрастает, если в кристалле имеются даже незначительные трещины. [2]
![]() |
Изготовление анода мощной генераторной лампы. [3] |
Опасность пробоев и проплавлений в большинстве случаев вызывает необходимость электрополировки корпусов, не ограничиваясь достигнутыми показателями по чистоте поверхности при механической обработке. По этим же соображениям должны быть закруглены и максимально сглажены острые края в деталях анода. [4]
![]() |
Цепи смещения и ограничения. [5] |
Уменьшает опасность пробоя при наивысшей температуре перехода. [6]
Поэтому опасность пробоя изоляции в этих местах увеличивается. Для обеспечения надежности принимают специальные меры для усиления изоляции на стыках гильзовой и непрерывной изоляций катушек. [8]
Возникает опасность пробоя изоляции обмоток при работе машины. [9]
Чтобы устранить опасность пробоя, необходимо включить в схему так называемый встречный купрокс ( рис. 3.41), через который проходят импульсы тока обратного направления. [10]
![]() |
Схема простей - [ IMAGE ] [. Схема купроксного вольт. [11] |
Чтобы устранить опасность пробоя, необходимо включить в схему так называемый встречный купрокс ( рис, 3.41), через который проходят импульсы тока обратного направления. [12]
Это свойство исключает опасность пробоя при случайном перенапряжении и позволяет снизить запас электрической прочности, применив более тонкий диэлектрик. [13]
Испытание для установления отсутствия опасности геплового пробоя трудоемко. Поэтому целесообразно сократить количество этих испытаний, допуская непроведение их в тех случаях, когда отсутствие опасности теплового пробоя может быть надежно установлено расчетным путем. Это допускается при условии, что правильность метода расчета подтверждена экспериментом, проведенным с аналогичной конструкцией изоляции. [14]
Минимальная толщина диэлектрика ограничивается опасностью пробоя и составляет 0 1 - 0 2 мкм. Таким образом, как нетрудно подсчитать по формуле (7.48), крутизна характеристики может достигать десятков и сотен миллиампер на вольт, что уже реализуется практически. [15]