Cтраница 4
Принцип зависимости емкости от величины диэлектрической проницаемости используют в варикондах. [46]
Исследование зависимости емкости от частоты переменного тока ( обычно в интервале 10 - 105 гц) позволяет получить сведения о спектре поверхностных состояний и о неравновесных процессах в двойном слое. [47]
Характер зависимости емкости и тангенса угла потерь от температуры и частоты и влияние на эти зависимости травления анодов, величины рабочего напряжения, коэффициента проницаемости прокладки и удельного сопротивления электролита для сухих алюминиевых электролитических конденсаторов были рассмотрены в главе пятой. [48]
![]() |
Принципиальная схема прибора ГЩВ для контроля увлажнения изоляции трансформаторов. Сх - испытываемый объект. П - переключатель для измерений при частоте SO ец я 2 гщ Я, Л - потенциометры. [49] |
Характер зависимости емкости от частоты зависит от увлажнения изоляции. Чем более увлажнена изоляция, тем быстрее протекают процессы поляризации. [50]
Измерение зависимости емкости структуры от напряжения выполняют с помощью схемы емкостно-омического делителя, аналогичной рис. 5.8. Отличие состоит лишь в том, что на МДП-структу-ру подается медленно изменяющееся напряжение, которое одно временно поступает на вход двухкоординационного самописца. [51]
![]() |
График зависимости емкости полупроводникового диода от напряжения смещения ( а и эквивалентная схема полупроводникового диода ( б.| Эквивалентные схемы параметрических усилителей. [52] |
График зависимости емкости диода от напряжения приведен на рис. 13 - 40, а. [53]
![]() |
Влияние значения рН на емкость битумных катионитов СБН ( 1 - 3 и СБТ. (. - 3 по ионам стронция ( 1, 1, цезия ( 2, 2 и натрия ( 3, 3. [54] |
Из зависимостей емкости сорбентов от равновесных значений рН растворов, приведенных на рис. 3, рассчитывались концентрационные константы обмена ионов металлов на водород, а затем одного металла на другой. [55]
Кривая зависимости емкости ХИТ от температуры обычно имеет максимум. Снижение емкости ХИТ при низких температурах обусловлено увеличением поляризации и омического сопротивления; при высоких температурах ускоряются побочные химические, электрохимические и физические процессы, приводящие к потере активных веществ. [56]
Измерение зависимости емкости МДП-структур от времени используют для контроля планарной технологии с целью получения информации о наличии рекомбинационно-активных дефектов в приповерхностной области. [57]
Рассмотрение зависимости емкости магнитной ленты от длины данных показывает, что емкость этого накопителя изменяется в широких пределах: от 0 85 Мбайт при минимальной длине данных в 18 байт до 22 Мбайт при длине данных порядка 6 тыс. байт и более. При этом характерно, что достаточно резко емкость накопителя на магнитной ленте начинает снижаться при уменьшении длины данных ниже значения примерно 3 тыс. байт. [58]
![]() |
Температурные коэффициенты Смин, мкф / см2 - 100. [59] |
Характер зависимости емкости двойного слоя от потенциала и перечисленные закономерности могут быть объяснены, если предположить, что строение двойного слоя и его емкость изменяются вследствие деформации ионов и изменения структуры расплавленных солей в приэлектродном слое. [60]