Cтраница 1
Зависимость амплитуды импульса на выходе индукционной камеры от координаты пролета частицы является одним из основных источников погрешности метода. Снижение ее может быть достигнуто путем рационального выбора размеров измерительной камеры. [1]
Зависимость амплитуды импульсов от изменения плотности псевдоожиженного слоя или от проскока газовых пузырей в зоне у-луча весьма слаба и практического значения в рассматриваемой методике не имеет. [2]
Зависимость амплитуды импульсов, вырабатываемых ионизационными детекторами, от напряжения на электродах в случае прохождения через детектор быстрой космической частицы, образующей JV 510 - 20 пар ионов, и а-чаотицы, создающей JV 10 пар ионов. [3]
Исследования зависимости амплитуды импульса продольной волны, возбужденной ЭМА-методом, от температуры показали наличие максимумов вблизи точек фазовых превращений: для стали - это превращение a - железа в у-железо, точка Кюри. Это объясняется резким возрастанием магнитострикции в указанных областях. [4]
Нарисуйте графики зависимости амплитуды импульсов, вызванных прохождением этих частиц, от напряжения на электродах детекторов, если известно, что пробеги всех частиц уложились в чувствительном объеме детекторов. [5]
Рассмотрим вопрос о зависимости амплитуды импульсов от формы частиц. Кубичен [ 2141 указывает, что амплитуда импульсов зависит от ормы частиц, но, тем не менее, ее пропорциональность объему сохраняется для частиц более или менее общей формы. [6]
На рис. 7.20 приведены зависимости амплитуд импульсов от энергии в первом и втором счетчиках для протонной и мезонной компонент. Заметим прежде всего, что начало счета во втором счетчике для мезонов сдвинуто по сравнению с протонами в сторону меньших энергий. Это связано с тем, что через первый счетчик могут пройти мезоны с меньшими энергиями, чем протоны. [7]
![]() |
Зависимость интенсивности сцинтилляций от энергии а-частиц в кристаллах. а - CsJ, б - NaJ Tl. [8] |
На рис. 369 показаны кривее зависимости амплитуд импульсов в счетчике с кристаллом K. [9]
Цель анализа заключается в выявлении зависимости амплитуды импульса, переключающего тиристор в открытое состояние, от параметров генератора отпирающих сигналов. [10]
Механизм фотоинжекции дырок состоит, по-видимому, в генерации светом дырок в Se и последующей их инжекции в ПВК. Зависимость амплитуды импульса от напряжения на образце приведена на рис. 6.5.31. Стремление к насыщению, наблюдающееся в ббльших полях, указывает на переход от ТОПЗ к току, ограниченному эмиссией из электродов. И кроме того, из-за различия Аи - и Se-электродов и способов их приготовления распределения ловушек вблизи электродов должны различаться. [12]
На рис. 174 изображена зависимость амплитуды импульсов, вырабатываемых ионизационным детектором, от напряжения на электродах в случае прохождения через детектор быстрой космической частицы, образующей 10 - 20 пар ионов, и альфа-частицы, создающей 105 пар ионов. [13]
![]() |
Зависимость амплитуды импульса напряжения Д. / от напряжения U на счетной трубке. [14] |
Рассмотрим режим работы газоразрядного счетчика. На рис. V1.5 показана зависимость амплитуды импульса напряжения AU от напряжения на счетной трубке. Верхняя кривая соответствует разряду, вызванному прохождением через счетчик а-частицы, обладающей большой ионизационной способностью, а нижняя соответствует прохождению у-кванта, который обладает меньшей, чем а-частица, ионизационной способностью. При небольших значениях напряжения ( участок кривой от 0 до UA) счетчик работает в режиме ионизационной камеры, и число электронов, собравшееся на аноде, равно числу электронов, возникших в результате первичной ионизации; тогда Л пе / С, где С - емкость счетчика. [15]