Зависимость - интенсивность - излучение
Cтраница 2
Характер кривых, выражающих зависимость интенсивности излучения от времени, для первого из этих двух случаев представлен на рис. 191 для систем, в которых радиоактивными являются только вещества А и В, а вещество С не излучает. Рисунок относится к случаю, когда распад вещества А происходит с значительно большей скоростью, чем распад вещества В. Кривая / представляет зависимость общей интенсивности радиации от времени. Пользуясь ею, можно определить радиоактивные постоянные ( и периоды полураспада) для обоих процессов. [16]
 |
Зависимость интенсивности излучательной ( а и поглощательной ( б способности воздуха, нагретого отраженной ударной волной, от времени. [17] |
На рис. 11 дана зависимость интенсивности излучения ( а) и по-лощательной способности ( б) от времени. [18]
 |
Зависимость интенсивности излучения от времени при последовательном превращении элементов. [19] |
Характер кривых, выражающих зависимость интенсивности излучения от времени, для первого из этих двух случаев представлен на рис. 280 для систем, в которых радиоактивными являются только вещества А и В, а вещество С не излучает. Рисунок относится к случаю, когда распад вещества А происходит с значительно большей скоростью, чем распад вещества В. Кривая 1 представляет зависимость общей интенсивности радиации от времени. Пользуясь ею, можно определить радиоактивные постоянные ( и периоды полураспада) для обоих процессов. Учитывая, что в начальный момент времени вещества В в системе не было и что скорость распада его значительно меньше, чем вещества А, можно принять, что касательная 2 к кривой 1 в начальном ее участке ( практически линейном) выражает зависимость интенсивности радиации от времени для распада вещества А. Определяя по прямой 2 численные значения интенсивности для различных моментов времени, устанавливаем по ним радиоактивную постоянную распада вещества А и, вычитая их из общей интенсивности, получаем значения интенсивности радиации, выделяемой при распаде вещества В. По этим данным легко определить радиоактивную постоянную распада вещества В. Кривая 3 представляет зависимость интенсивности радиации, выделяемой при распаде вещества В, от времени. [20]
 |
Спектральные характеристики излучающего диода на основе арсенида галлия при температуре 77 К. [21] |
На рис. 7.18 приведена зависимость интенсивности излучения диода на основе арсенида галлия от прямого тока при-различных температурах окружающей среды. При малых токах интенсивность излучения почти линейно зависит от тока и излучение является некогерентным. В этом режиме излучатель работает как светодиод. Излучение становится более интенсивным из-за строгой направленности и когерентным при токах, превышающих пороговое значение. При дальнейшем увеличении тока интенсивность излучения опять линейно возрастает. Пороговые плотности тока для лазеров на основе арсенида галлия составляет приблизительно 108 а / м2 при температуре окружающей среды 77 К и 7 10е а / м2 при 4 2 К. Таким образом, для уменьшения величины порогового тока необходимо, глубокое охлаждение полупроводникового лазера. [22]
 |
Зависимость интенсивности обратного рассеяния Р - излучения препарата таллия-204 от порядкового номера Z рассеивающего элемента ( толщина слоя. толщина слоя насыщения обратного рассеяния. [23] |
На рис. 97 приведена зависимость интенсивности излучения обратного рассеяния от порядкового номера. [24]
На рис. 52 показана зависимость интенсивности излучения абсолютно черного тела от длины волны при различных температурах. Из рисунка видно, что при повышении температуры абсолютно черного тела максимальное излучение смещается в сторону малых длин волн ( что объясняет изменение цвета тела при нагревании) и лучистая энергия его возрастает значительно быстрее. [25]
 |
Схема пирометров частичного излучения. [26] |
Фотоэлектрические пирометры основаны на использовании зависимости интенсивности излучения от температуры в узком интервале длин волн спектра. В качестве приемников в данных пирометрах используются фотодиоды, фотосопротивления, фотоэлементы и фотоумножители. [27]
С уменьшением концентрации УО - центров зависимость интенсивности излучения от температуры проявляется слабее и хорошо подчиняется закону Мотта. [28]
Абсорбционный анализ состава вещества основан на зависимости интенсивности излучения, прошедшего через исследуемый материал, от концентрации отдельных компонентов, толщины просвечиваемого слоя и массовых коэффициентов поглощения излучения, которые в свою очередь, являются функцией атомного номера элемента и энергии - излучения. [29]
Полный световой поток определяется путем графического интегрирования зависимости интенсивности излучения от угла, отсчитываемого от оптической оси. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5