Операция - химическое травление
Cтраница 1
Операции химического травления широко применяются при изготовлении любых полупроводниковых приборов. Возможность употребления того или иного травителя связана со скоростью его взаимодействия с кристаллом. Травление, протекающее с чрезвычайно малой, или очень большой скоростью крайне неудобно и практически в производстве не применимо. [1]
Операции химического травления и обезжиривания могут быть совмещены. [2]
После операции химического травления на поверхности полупроводников всегда остаются продукты травления ( оксиды, соли и др.), а также остатки самого травителя. Для их удаления протравленный материал отмывают водой. В ходе этой операции корзину с материалом сначала медленно извлекают из травильного раствора, что способствует более полному его стеканию. Затем для предотвращения высыхания травильного раствора ( высыхание может способствовать образованию на поверхности полупроводника стойких к удалению загрязнений) корзину быстро перенесет в ванну с водой. [3]
Использование операций химического травления взамен механической обработки имеет некоторые особенности. [4]
Например, операция химического травления, которая широко используется в технологии РЭА как при производстве ПП, так и при производстве ИС. Режимы оборудования в этой операции - температура травления, тип травителя, размеры ванны или реактора, а также толщина и материал травящейся пленки - выбираются заранее и остаются неизменными в процессе операции. Однако скорость травления, которая в значительной степени определяет конечный результат ( удаление материала, минимальное искажение размеров, селективность действия травителей и др.), меняется вследствие изменения во времени таких воздействий, как концентрация частиц травителя у поверхности твердой фазы, изменения температуры поверхности из-за выделения тепла при реакции, различной кинетики травления по глубине материала. Если рассматривать операцию травления как процесс, происходящий именно на поверхности твердой фазы, то все эти переменные воздействия можно считать внешними. [5]
В настоящее время операции химического травления и обезжиривания совмещают. [6]
 |
Состав травильных растворов и режимы травления. [7] |
В последнее время операции химического травления и обезжиривания совмещаются. Для этого используются растворы на основе фосфорной кислоты. В табл. 17 приведены составы растворов для одновременного обезжиривания и травления. В процессе обработки рекомендуется механически воздействовать на очищаемую поверхность щетками, а после обработки - промывать в растворе нитрита натрия ( 3 - 5 г / л) при температуре 55 - 60 С и просушивать. [8]
Технологический процесс изготовления печатных плат представляет комплекс операций химического травления и электролитического осаждения различных металлов с целью получения на изоляционном плоском основании проводников в виде металлических полосок и металлизированных отверстий. Металлизированные отверстия служат для установки в них проволочных выводов радиодеталей, а также для соединения проводников, расположенных на двух сторонах платы. [9]
Сочетание возможностей метода термического разложения МОС и электронно-лучевой технологии открывает возможность изготовления защитных и диффузионных масок без применения фотолитографических приемов, без использования операции химического травления. [10]
Печатные платы, предназначенные для монтажа радиоэлементов, являются важнейшей частью современной радиоэлектронной аппаратуры. Технологический процесс изготовления печатных плат представляет комплекс операций химического травления и электролитического осаждения различных металлов с целью получения на изоляционном плоском основании проводников в виде металлических полосок и металлизированных отверстий. Последние служат для установки в них проволочных выводов радиодеталей, а также для соединения проводников, расположенных на двух сторонах платы. [11]
 |
Схема установки для обезжиривания полупроводников в горячем растворе. [12] |
Обезжиренный материал сушат в вакуумном сушильном шкафу или в токе инертных газов ( азота, аргона), нагретых примерно до 300 С. Хорошие результаты дает также сушка материала в подогреваемых высокоскоростных центрифугах. После этого обезжиренные полупроводники направляют на операцию химического травления. [13]
Поэтому в процессе травления происходит подтравление пленки до глубины, равной толщине удаляемой пленки, что ограничивает сокращение ширины линий и расстояний между ними в ИС. Кроме того, может произойти сплошное протравливание тонких линий рисунка ИС или зазоры станут шире максимально допустимых. Все это ведет к существенному уменьшению разрешающей способности процесса фотолитографии. Следует также отметить, что операция химического травления трудно поддается автоматизации. [14]
Страницы: 1