Зависимость - коэффициент - шум
Cтраница 1
Зависимость коэффициента шума от сопротивления источника сигнала учитывается на стадии проектирования усилителя. При низко-омном источнике сигнала коэффициент шума усилителя меньше, когда в первом каскаде усилителя работает малошумящий биполярный транзистор. При высокоомнсм источнике сигнала коэффициент шума меньше, когда в первом каскаде работает малошумящий полевой транзистор. [1]
 |
Зависимость шумов от частоты для типовых кремниевых и германиевых - транзисторов. [2] |
Зависимость коэффициента шума от частоты иллюстрируется графиком рис. 2.28. До частоты fi шумы снижаются на 3 дб на октаву. [3]
Зависимость коэффициента шума ПТШ от частоты приведена на рис. 14.6. В области низких частот проявляется 1 / / - шум, а в области высоких - растет частотно-зависимый тепловой шум затвора. [4]
Зависимость коэффициента шума усилителя от режима работы транзистора обусловлена зависимостью малосигнальных и шумовых параметров от тока коллектора. [5]
Рассмотрена зависимость коэффициента шума различных транзисторов от частоты. На примерах показано, что улучшение частотных свойств сопровождалось уменьшением площадей переходов, а следовательно, повышением плотности тока. [6]
 |
Зависимость коэффициента шума триода от частоты сигнала.| Зависимость коэффициента шума плоскостных триодов от напряжения коллектора и тока эмиттера. [7] |
На рис. 45 приведена зависимость коэффициента шума от напряжения коллектора и тока эмиттера при / 1 Мгц. Из этих диаграмм видно, что выбор режима имеет большое значение для величины шумов усилителя. Следует отметить, что, как правило, оптимальный режим усиления не совпадает с режимом работы, соответствующим наименьшим шумам. [8]
При частоте f 1 кгц снять зависимости коэффициента шума транзистора: а) в функции от тока эмиттера при постоянном напряжении на коллекторе: F ф1 ( 1Э) ц Const) в функции напряжения на коллекторе при постоянном токе эмиттера ф2 ( к) / эсопз1 - Диапазон изменения тока эмиттера и напряжения на коллекторе устанавливается преподавателем. [9]
На рис. 13 - 33 приведена зависимость коэффициента шума транзисторного каскада от частоты. [10]
На рис. VI 1.19 приведены усредненные характеристики зависимости коэффициента шума транзисторов типа П5 от тока эмиттера и частоты. [11]
 |
Схема для измерения параметра Л2. эо на частоте 1.| Схема измерения гб. измеряются грвх и срвХ. [12] |
Рисунки 21 - 6 и 21 - 7 иллюстрируют также зависимость коэффициента шума от сопротивления R. [13]
 |
Зависимость коэффициента [ IMAGE ] Представление транзистора шума транзистора от частоты. в виде четырехполюсника. [14] |
Частота f2 лежит вблизи частоты frp транзистора, где его усиление начинает резко падать, а коэффициент шума соответственно растет. Ход зависимости коэффициента шума от частоты индивидуален для каждого типа транзисторов. [15]
Страницы: 1 2