Зависимость - эффективная масса
Cтраница 1
Зависимость эффективной массы от направления движения электрона объясняется анизотропией кристалла: при движении электрона силы взаимодействия его с кристаллической решеткой различны в различных кристаллографических направлениях. [1]
Зависимость эффективной массы электрона в n - InSb от концентрации носителей тока. [2]
Исследование зависимости эффективной массы электронов в / i - InSb от концентрации носителей тока. [3]
На рис. 3 показана зависимость эффективных масс, вычисленных по соотношению ( 5) от температуры. Подробнее этот вопрос будет обсужден ниже. [4]
Это выражение получено в предположении параболической зависимости энергии электрона от волнового вектора и не учитывает: зависимость эффективной массы электрона от энергии под потенциальным барьером в запрещенной зоне двуокиси кремния; тепловое размытие распределения электронов по энергии в металлическом или полупроводниковом электродах; снижение высоты потенциального барьера за счет влияния сил зеркального изображения. Учет этих факторов существенно усложняет аналитическое описание зависимости плотности туннельного тока от напряженности электрического поля на инжектирующей границе раздела, не приводя, однако, к значительным изменениям общего вида зависимости. [5]
 |
Схема энергетических зон, поясняющая процесс непрямого перехода j - f с участием промежуточного состояния а. [6] |
Отсюда следует, что отклонение наблюдаемой на опыте кривой а ( Е) для прямых переходов вблизи края поглощения от (5.8) определяет эффективную непараболичность зоны проводимости, характеризующую зависимость действующей эффективной массы от энергии. При сопоставлении экспериментальных кривых a ( / zv) с теоретическими (5.8), (5.9) и (5.12) следует помнить, что в сильно легированных полупроводниках, когда имеет место фермиевское вырождение в одной из зон, состояния вблизи экстремума этой зоны оказываются заполненными носителями заряда. Поэтому край поглощения в этом случае сдвигается в сторону больших энергий. [7]
Противоречия с опытом указывают, что существующая теория влияния магнитного поля на сопротивление полупроводника не дает правильного представления о тех изменениях, которые вносит в движение электронов магнитное поле, если не учитывать сложной формы уровней энергии, зависимости эффективной массы от направления и перекрытия зон. [8]
Зависимость эффективной массы от энергии и изменение знака массы объясняются волновой природой электрона. По мере увеличения энергии длина волны уменьшается ( X - d0), взаимодействие с решеткой усиливается и эффективная масса растет. [9]
Ge равняться 0 1 эв, что значительно меньше энергии с 3 для Си или Аи в Ge. Причиной расхождения является, во-первых, зависимость эффективной массы от энергии. [10]
Такие мощные экспериментальные методы, дающие прямую информацию об электрических подзонах, как эффект Шубникова - де Гааза и инфракрасная спектроскопия, были применены исследователями лишь недавно. Из температурной зависимости амплитуды осцилляции Шубникова - де Гааза обе исследовательские группы определяли зависимость эффективной массы от концентрации дырок. Они показали, что с ростом Ns эффективная масса заметно возрастает. Между результатами двух этих групп имеется существенное различие. Ниже будут обсуждаться различные предлагавшиеся теории, согласующиеся как с одной, так и с другой совокупностью экспериментальных результатов и являвшиеся предметом дискуссии. [11]
 |
Зависимость а / (., вычисленная по для ( i 0 05 эв и по для ц 0 с действующей массой, определяемой с параметром а 10. ( Пунктирные линии вычислены по и с постоянной эффективной массой. [12] |
Величина а, фигурирующая в (4.1.30), является подгоночным параметром в руках экспериментатора. Подбор значения а, при котором достигается наилучшее совпадение с экспериментом, позволяет определить характер зависимости действующей эффективной массы от энергии. [13]
Столкновения, рассмотренные в гл. Все подобные эксперименты подтверждают закон Ньютона, исключая случай движений со скоростями, близкими к скорости света, когда этот закон изменяется благодаря зависимости эффективной массы от скорости. [14]
Эффективная масса отражает тот факт, что при наличии внешнего электрического поля электроны в твердом теле движутся не только под действием этого голя ( как в случае вакуума), но и под действием периодического внутреннего поля, обусловленного атомами решетки. Зависимость эффективной массы от энергии и изменение знака массы объясняются волновой природой электрона. [15]
Страницы: 1 2