Описание - свойство - транзистор
Cтраница 1
 |
Семейство входных ( а и выходных ( б вольт-амперных характеристик биполярного транзистора.| В. Эквивалентная схема биполярного транзистора. [1] |
Описание свойств транзистора с помощью входных и выходных статических характеристик не является достаточно полным. Статические характеристики снимаются при сравнительно медленных изменениях напряжений и токов на электродах, поэтому частотная зависимость параметров, вызываемая конечной скоростью перемещения носителей зарядов в транзисторе, не проявляется. [2]
 |
Входные ( а и выходные ( б характеристики кремниевого п-р-п-транзистора КТ603 в схеме ОБ. [3] |
Для описания свойств транзисторов используют входные и выходные семейства характеристик, представляющих собой зависимости входного тока / э или IQ от входного напряжения U и выходного тока / к от выходного напряжения UKQ или UK3 соответственно. Применяют также передаточные ( переходные) характеристики, связывающие токи на выходе с токами или напряжениями на входе. Вид характеристик зависит от схемы включения транзистора. [4]
 |
Схема замещения транзистора при включении по схеме с общей базой. [5] |
Что касается описания свойств транзисторов на переменном токе с помощью схемы замещения, то в этом направлении имеется целый ряд предложений. [6]
Каждый способ описания свойств транзистора как четырехполюсника в выбранной системе параметров имеет свои преимущества и недостатки. Это следует учитывать при расчете системы нескольких четырехполюсников, соединенных друг с другом по последовательной, параллельной или смешанной схеме. Если два четырехполюсника соединяются последовательно, то при расчетах удобнее пользоваться Z-параметрами ( сопротивлениями), при параллельном соединении - У-параметрами ( проводимостями), а при смешанном соединении - / i-параметрами. [7]
Сложнее обстоит дело с описанием свойств транзистора с помощью - 5-параметров в режиме большого сигнала. В первом приближении 5-параметров можно определить через отношения первых гармоник падающих и отраженных волн напряжения при удовлетворительной фильтрации высших гармоник, что обычно соблюдается. [8]
Автором успешно используется теория матриц для описания свойств транзисторов, работающих в линейном режиме, и синтеза активных фильтров с транзисторами. При этом учитывается зависимость элементов пассивной цепи от входной и выходной проводимости и емкости транзистора. [9]
С точки зрения точности и полноты описания свойств транзистора обе модели - на рис. 4.29 и 4.30 - эквивалентны и выбор между ними определяется удобством использования в конкретном случае. [10]
Аналитической зависимости между этими величинами в широкой области их изменений предложить нельзя, и поэтому для описания свойств транзистора используют графические представления. [11]
Для определения полной / - матрицы транзисторов измерялись значения входных и выходных проводимостей: полные входные проводимости при короткозамкнутом выходе с общей базой / Пб и с общим эмиттером уца, полные выходные проводимости при короткозамкнутом входе / 22э и холостом ходе на выходе с общим эмиттером Й22Э - Такая система оказывается достаточной для описания свойств транзисторов на внешних зажимах. [12]
Физический смысл этих комплексных величин и методы их измерения рассмотрены в § 2.2. Согласно (8.11) - (8.14) восемь рациональных функций полностью характеризуют СВЧ транзистор в рабочем диапазоне частот. При 5-параметрах возможен табличный метод описания свойств транзистора, что весьма удобно при использовании ЭВМ для расчета полупроводниковых усилителей. [13]
Сравнение эксперимента и расчета дает возможность утверждать, что в диапазоне частот до 200 Мгц схема рис. 12 неплохо отражает ход частотных характеристик параметров транзистора. По-видимому, эта схема годится для описания свойств транзистора вплоть до максимальной генерации. [14]
Изложим основные положения программы проектирования с помощью ЭВМ трехкаскадного СВЧ транзисторного усилителя с различными типами электрических цепей. Все каскады работают в линейном режиме, для описания свойств транзисторов используются 5-пара-метры. [15]
Страницы: 1 2