Зависимость - пороговое напряжение
Cтраница 1
 |
Зависимость VT ( а и м / г / Г ( б юлщины пленки d 31. до ( / и после ( 2 гидрогенизации. [1] |
Зависимости порогового напряжения на затворе V T и полевой подвижности iipg от толщины поликристаллической пленки кремния показаны на рис. 6.2.2. Из этих данных следует, что с увеличением толщины пленки VT уменьшается, a HFE возрастает. Этот результат является отражением того факта, что размер зерен поликристаллического кремния, нанесенного МЛО, возрастает с увеличением толщины пленки, как это отмечалось в предыдущем разделе. [2]
 |
Зависимость VT ( Д и м / г / г ( б юлщины пленки У 31. до ( / и после ( 2 гидрогенизации. [3] |
Зависимости порогового напряжения на затворе V T и полевой подвижности iipg от толщины поликристаллической пленки кремния показаны на рис. 6.2.2. Из этих данных следует, что с увеличением толщины пленки V т уменьшается, a HFE возрастает. Этот результат является отражением того факта, что размер зерен поликристаллического кремния, нанесенного МЛО, возрастает с увеличением толщины пленки, как это отмечалось в предыдущем разделе. [4]
Зависимость порогового напряжения затвор - исток транзисторов микросхем от напряжения исток-подложка. Заштрихована область разброса значений параметра для 95 % микросхем. [5]
На рис. 4.3 показана зависимость порогового напряжения транзистора с индуцированным каналом от дозы легирования канала при разных толщинах диэлектрика и концентрациях примесей в подложке. [6]
 |
МНОП ТЭ. а схематичное изображение. б гистерезисная характеристика. [7] |
Характерной особенностью МНОП ТЭ является гистерезисная зависимость порогового напряжения Um пор от напряжения затвора. Из рисунка видно, что при подведении к затвору ТЭ напряжений, больших 30 В и меньших - 30 В, у ТЭ устанавливаются различные пороговые напряжения. В качестве управляющих сигналов обычно используют импульсы напряжения длительностью около 0 1 мс. В устанавливается пороговое напряжение U3MWf - 5 В, которое сохраняется при работе ТЭ в режиме малых сигналов. В таком режиме МНОП-элемент ведет себя как обычный МОП ТЭ с индуцированным р-каналом. [8]
 |
Зависимость временной задержки на один вентиль и произведения временная задержка - мощность от ширины эмиттера или длины канала. [9] |
Для МОП-транзисторов при уменьшении длины канала увеличивается зависимость порогового напряжения от напряжения стока и возникает так называемый эффект смыкания. Кроме того, при сужении области истока уменьшается коэффициент усиления в результате увеличения сопротивления этой области. Для длины канала 0 25 мкм временная задержка на один вентиль с коэффициентом разветвления по выходу 1 составляет 70 пс при произведении временная задержка - мощность 5 фДж, а при 40 фДж задержка уменьшается до 30 пс. [10]
На рис. 95 проведены парабола критического режима ОАР и пороговая прямая АП, представляющая зависимость порогового напряжения от магнитного поля. Назовем рабочими те точки на рис. 95, которым соответствуют значения В0 и V0, при которых магнетрон возбуждается. По сказанному выше рабочие точки должны находиться между параболой критического режима и пороговой прямой. [11]
 |
Влияние водорода на пороговые напряжения при испытаниях на статический изгиб поперечных ( а и продольных ( б образцов из сплава ОТ4 ( / и ОТ4 - 1 ( 2. [12] |
О влиянии водорода на склонность к замедленному разрушению сплавов ОТ4 и ОТ4 - 1 можно судить также по данным, представленным на рис. 232, на котором показана зависимость пороговых напряжений от содержания водорода при времени до разрушения 100 сут. Для сплава ОТ4 - 1 прочность с увеличением содержания водорода уменьшается незначительно. [13]
Рабочее напряжение поэтому составляет 20 В. Тогда максимально проявляется зависимость порогового напряжения от проводимости ЖК, которая в данном случае была на порядок ниже, чем для других жидкокристаллических смесей, В этом случае полное сопротивление слоя ЖК определяется его емкостной составляющей уже на частотах ( Яжк - жк) Гц. Для полупроводника значение постоянной ( ЖКСЖК) - много меньше, порядка 10 - 3 Гц, так что на частотах выше 10 Гц напряжение между слоями полупроводника и ЖК начинает распределяться пропорционально их геометрическим емкостям. [14]
Вторая группа эффектов вызвана тем, что в коротком канале уже нельзя пренебречь поперечной ( вертикальной) составляющей Ех поля и плавное приближение становится неправомерным. Это приводит к трехмерному распределению электрического потенциала и плотности тока, ток стока в результате пробоя не насыщается, появляется зависимость порогового напряжения от длины канала. [15]
Страницы: 1 2