Cтраница 2
На рис. 3 - 31 приведена зависимость падения напряжения в мембране Нафион толщиной 0 127 мм при 80 С и плотности тока 3 кА / м2 от эквивалентной массы полимера. [16]
А / см2) заметно усиливается зависимость падения напряжения на базах от / а вследствие уменьшения подвижности носителей и коэффициентов инжекции крайних переходов. [17]
Измерение диффузионной длины сводится к установлению зависимости падения напряжения U на резисторе R, включенном последовательно с детектором, от расстояния между световым зондом и детектором. Для этого кристалл с детектором перемещают относительно неподвижной оптической системы, что равносильно движению света относительно детектора. [19]
Однако эта гипотеза не могла объяснить характера зависимости падения напряжения в щеточном контакте от плотности тока; кроме того, удельное сопротивление щеточного контакта, как показали эксперименты, - явно выраженная функция плотности тока под щеткой. [20]
Однако эта гипотеза не могла объяснить характера зависимости падения напряжения в щеточном контакте от плотности тока, да и само удельное сопротивление щеточного контакта, как показали эксперименты, является явно выраженной функцией плотности тока под щеткой. [21]
При этом прямая 0 - 2 должна представлять зависимость падения напряжения в холодной обмотке возбуждения возбудителя от тока возбуждения возбудителя - / гь. [22]
![]() |
Характеристики газотрона в непроводящем направлении. а - графики прямого и обратного токов. 6 - зависимость l / обр доп от температуры баллона газотрона t. [23] |
На рис. 1 - 5, б эта зависимость падения напряжения от температуры показана на примере газотрона с парами ртути. В газотронах с инертными газами влияние температуры сказывается меньше, хотя все же заметно при протекании прямого-тока. [24]
![]() |
Три типа статических ВАХ термисторов прямого подогрева. [25] |
Статическая вольт - амперная характеристика термистора - это зависимость падения напряжения на термисторе от проходящего через него тока в условиях теплового равновесия между термистором и окружающей средой. [26]
Исследование эффекта магнитосопротивления на опыте обычно сводится к измерению зависимости падения напряжения на образце от напряженности внешнего магнитного поля при неизменной величине протекающего по образцу электрического тока. [27]
Определить значение гщк на практике трудно, поэтому можно сначала определить зависимость падения напряжения на щетках от плотности тока под ними, а потом вычислить гщк Д [ 7Щ / / ГЩ. [28]
![]() |
График распределения напряжения по изоляторам гирлянды линии электропередачи 500 кВ. [29] |
В процессе исследований, выполненных в ЛПИ, была также установлена зависимость падения напряжения на первом изоляторе от числа изоляторов в гирлянде. При увеличении числа изоляторов падение напряжения на первом изоляторе резко уменьшается и при 25 элементах в гирлянде снижается до 7 % независимо от числа проводов в расщепленной фазе. При дальнейшем увеличении числа элементов напряжение на первом изоляторе остается практически неизменным. [30]