Зависимость - параметр
Cтраница 3
Зависимость параметра X от приложенной нагрузки находится в процессе решения. [31]
 |
Изменение выходной мощности и номеров зон колебаний с глубиной отражателя. D ж. 0 85 мм. L 0 3 мм. [32] |
Зависимость параметров ОК от глубины впадины, с увеличением которой возрастает нелинейность поля отражателя, приведена на рис. 4.7. Измерения выполнялись на Я, 2 мм в импульсном режиме. [33]
Зависимость параметров тиристора от температуры обусловлена, главным образом, влиянием температуры на обратные токи переходов и коэффициенты передачи составляющих транзисторов. [34]
Зависимости параметра насыщенности Р н от коэффициента водонасыщенности k win нефтенасыщенности kH могут быть получены двух видов, что определяется способом моделирования. Если Рн находят по образцам керна, в которых создается минимальная ( неснижаемая) водонасыщенность, соответствующая содержанию связанной воды, то получаемые зависимости РН f ( kB CB) могут охватывать весь диапазон изменения коллекторских свойств изучаемого продуктивного горизонта и соответствовать предельной нефтенасыщенности. [35]
Зависимость параметров тиристора от температуры обусловлена, главным образом, влиянием температуры на обратные токи переходов и коэффициенты передачи составляющих транзисторов. [36]
Зависимость параметров преобразователя от величины и частоты питающего напряжения обусловлена нелинейностью магнитного сопротивления стальной части магнитной цепи и резко зависит от величины индукции и режима работы преобразователя. [37]
Зависимость параметра WM от положения соединения в гомологическом ряду, особенно резко выраженная у начальных членов, осложняет сравнительную характеристику устойчивости молекулярных ионов соединений разных классов. [38]
 |
Спектральные глаза. [39] |
Зависимость параметров излучения от длины волны оптического ( или от энергии излучаемых фотонов) называется спектральной характеристикой излучающего диода. Длина волны излучения определяется разностью двух энергетических уровней, между которыми происходит переход электронов при люминесценции. В связи с разной шириной запрещенной зоны у различных материалов длина волны излучения различна в разных типах излучающих диодов. Примеры спектральных характеристик приведены на рис. 5.13. Так как переход электронов при рекомбинации носителей зарядов обычно происходит не между двумя энергетическими уровнями, а между двумя группами энергетических уровней, то спектр излучения оказывается размытым. [40]
Зависимость параметров потока на входе и выходе из колеса от коэффициента закрутки потока на выходе из колеса для разобранного примера представлена на фиг. [41]
Зависимость параметров вещества от частоты впервые была обнаружена русским ученым В. [42]
Зависимость параметров веществ от частоты впервые была обнаружена русским ученым В. К. Аркадьевым в 1908 - 1911 гг. Физическое объяснение этим явлениям было дано им в 1913 г. в работе Теория электромагнитного поля в ферромагнитном ме. [43]
 |
Излучательная характеристика. [44] |
Зависимость параметров излучения от длины волны оптического излучения ( или от энергии излучаемых фотонов) называется спектральной характеристикой СИД. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5