Зависимость - период - решетка
Cтраница 1
Зависимость периодов решетки от молекулярной доли компонентов в данном случае удовлетворительно согласуется с правилом Вегарда: периоды линейно изменяются во всемо интервале концентраций от а - 5 65 А для GaAs до а 5 45 А для GaP. Пленки сплавов, легированные селеном, теллуром и оловом, обладали тг-проводимостыо. [1]
Зависимость периодов решетки от концентрации твердого раствора ( рис. 16.1) не позволяет однозначно определить его тип. [2]
Зависимость периода решетки от состава представляет собой выпуклую кривую, что дает основание предполагать вогнутый характер кривой солидуса. [3]
Если известна зависимость периода решетки от состава, то величину е можно определить как тангенс угла наклона касательной к этой кривой для сплава заданного состава. [4]
 |
Схема к определению эффективного размерного фактора в сплавах системы А-В.| Зависимость параметров решетки Р - твердых растворов от состава в системах Ti-Та ( /, Ti-Nb ( 2, Ti-Mo 3 и Ti-V ( 4. [5] |
К сожалению, зависимость периодов решетки сплавов от состава известна для небольшого числа систем. [6]
По данным о зависимости периода решетки TiC от содержания углерода [9], это соответствует карбиду титана примерно с 11 вес. Химический анализ подтвердил эти данные. Увеличение времени отжига приводит к росту ширины слоя карбида до тех пор, пока металл полностью не кар-бидизируется. В дальнейшем карбид будет насыщаться углеродом, приближаясь по составу к стехиометрическому, однако этот процесс более медленный, чем образование карбида, так как он лимитируется скоростью диффузии углерода сквозь решетку карбида, в то время как при образовании карбида углерод диффундирует сквозь решетку титана. Повышение температуры диффузионного отжига более существенно сказывается на составе образующегося карбида. Так, повышение температуры отжига на 200о приводит к образованию карбида титана с периодом решетки 4.312 А и содержанием углерода 16.9 вес. [7]
Кривая 8 - зависимость относительного периода решетки ЦМД, соответствующего полю Якр. [9]
 |
Диаграмма состояния с твердыми растворами.| График зависимости периода решетки твердого раствора от его состава. [10] |
Сначала строят график зависимости периода решетки от концентрации в твердом растворе растворенного компонента. Для этого два-три состава, например С, С и С3 ( рис. 49), находящихся при выбранной температуре tz заведомо в однофазной области чистого твердого раствора ( н) компонента В в компоненте А, выдерживают при этой температуре до установления равновесия и затем резко охлаждают. [11]
На рис. 14 показана зависимость периода решетки от расстояния между рассматриваемой точкой и поверхностью облучаемого участка. Период решетки определяется по интерференционному максимуму 211 в железном излучении на дифрактометре УРС-50ИМ. [12]
На рис. 11 показана зависимость периода решетки a - W2C от состава по данным различных работ. [13]
 |
Изменение относительного удельного электрического сопротивления сплавов TiC - WC от содержания WC ( значение р приведено по отношению к р чистого TiC. [14] |
На рис. 37 представлена зависимость периодов решетки твердых растворов ( Ti, W) C. [15]
Страницы: 1 2 3 4