Зависимость - положение
Cтраница 4
На рис. 6.6 показана зависимость положения уровня Ферми от температуры для полупроводника р-типа. [46]
 |
Температурные интервалы а - - у - и у - - а-превращени Л а зависимости от числа циклов п ВДТЦО. а - 1 - й режим. б - 2 - й режим. в - 5 - й режим. [47] |
Представленные на рис. 5.7 зависимости положения критических точек Ас, Лс3 и Лг3, Аг отражают влияние числа циклов термопластической обработки нагрев - прокатка - охлаждение с обжатиями, равными 10 %, в каждом цикле. Там же нанесены линии положения критических точек Ас и Лс3, полученные в квазиизотермических условиях ( скорость нагрева 0 5 С / с), и критических точек ЛЛЗ и Ari, полученных при скоростях охлаждения, близких к применявшимся в эксперименте ( 0 6 С / с), но без предварительной пластической деформации. Из рис. 5.7, а видно, что при реализации 1-го режима с полной фазовой перекристаллизацией всего сечения при подстуживании в паузах между проходами температурный интервал ос - - превращения незначительно изменяется с увеличением числа циклов, а именно: после пятого цикла температура точки Асз понизилась примерно на 30 С. Температурный интервал у - - превращения также смещен примерно на 15 С в сторону меньших температур относительно полученного в случае отсутствия пластической деформации. [48]
В циклических олефинах наблюдается зависимость положения полосы двойной связи от числа заместителей. [49]
 |
Влияние дефектов изображения на положение пика. [50] |
Перемещая это отверстие, строят зависимость положения пика от расположения а-отверстия. Если изображение располагается правильно ( точно на выходной щели), соответствующая кривая ( кривая 3) проходит через экстремальное значение. Когда скорректированы сферические аберрации второго порядка и остаются только дефекты, связанные с коэффициентами третьего порядка, кривая 4 имеет точку перегиба. Кривые, наблюдаемые на практике, обычно представляют собой комбинацию этих предельных случаев. Главная цель юстировки - обеспечить условия, при которых можно перемещать - отверстие в наиболее широких пределах, но положение пика не должно выходить за пределы, определяемые требуемой величиной разрешения. При этой юстировке по направлениям необходимо использовать моноэнергетический источник ионов, чтобы не накладывались ошибки, связанные с неточной фокусировкой по скоростям. [51]
Большой разброс параметров транзисторов и зависимость положения рабочей точки от температуры окружающей среды делают необходимым широкое применение отрицательной обратной связи. [52]
В двух последних случаях исследуется зависимость положения точки отрыва от шагов сетки. Предположения, в которых получены уравнения пограничного слоя -, как известно, нарушаются вблизи точки отрыва. [53]
 |
К задаче 14.| К. задаче 16. [54] |
На рис. 5.40 представлен график зависимости положения от времени для автомобиля, движущегося по дороге. [55]
На рис. 5.42 приведен график зависимости положения от времени для автомобиля. [56]
 |
Зависимость положения поршня от величины нагрузки для перфторсти-ролов в области давлений 2 - 15 катм при температуре 22 С. [57] |
На рис. 2 приведена кривая зависимости положения поршня от нагрузки, которая характеризует явление, наблюдаемое при сжатии системы. При этом обнаруживается 050 переход как в кристаллическое, так о и в стеклообразное состояние. Кри - вые / и 2 на графике описывают пове - § дение системы перед кристаллиза - с цией. Экспериментальные точки, при - надлежащие кривой 1, соответству - ют опытам, в которых давление при - З лагалось, а точки кривой 2 соответ - 5 ствуют опытам, в которых давление Q, снималось. На верхнем конце кри - с; вой есть точки, соединенные пунктирными линиями. Условия, в которых система находилась вначале, характеризуются точками, лежащими вне кривой. За время, когда имел место крип поршня, а система приходила в состояние равновесия, были получены точки, лежащие на кривой. Давление, при котором отмечается это явление, здесь будет условно называться давлением перехода в стеклообразное состояние. [58]
На рис. 3.9 показан график зависимости положения уровня Ферми от температуры. [59]
На рис. 41 и 42 представлена зависимость положения компонент и расщепления спектров ряда гексафториридатов. Заметим, что по приведенным выше соображениям вклады перекрывания должны одинаково сдвигать в сторону слабого поля обе компоненты, в отличие от эффекта катиона, где амплитуда смещения определялась сложным набором параметров. Поэтому тот факт, что увеличение давления приводит к увеличению расщепления в спектре и, следовательно, к увеличению степени искажения октаэдра, является одним из наиболее веских аргументов, свидетельствующих в пользу того, что основным в эффекте искажения ок-таэдрических комплексов, по крайней мере [ IrFe ] -, является вклад решетки. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5