Зависимость - положение - максимум
Cтраница 1
Зависимость положения максимумов и минимумов от длины волны падающего света позволяет использовать дифракционную решетку для разложения сложного импульса в спектр. [1]
Зависимости положения максимума концентрации энергии в спектре от углов наклона плоскостей штрихов получены на основе законов геометрической оптики. Для нахождения распределения интенсивности по длинам волн необходимо рассмотреть явление дифракции на отдельном штрихе. [2]
График показывает зависимость положения максимумов поглощения от поля. Величины 1 и т - эффективные массы, найденные из измерений. [3]
 |
Зависимость плотности тока от температуры при осаждении меди в координатах lg / - . [4] |
При исследовании зависимости положения максимума 7 - - кривых от потенциала катода для различных металлов оказалось, что при осаждении Си, Zn, Cd и Ag характер этой зависимости одинаков: с увеличением потенциала электрода максимум / - / - кривых смещается в сторону более низких температур. [5]
На рис. III.36 представлена зависимость положения максимумов пиков излучения от температуры на основании изучения ряда образцов. [6]
 |
Зависимость максимума основной полосы поглощения. [7] |
Как и предполагали, зависимость положения максимума основной полосы поглощения от степени полимеризации а имела вид гиперболы, а зависимость v - 1 / а - вид прямой. [8]
Как и в н-алканах, в дициклогексиле и дициклогексилметане наблюдается зависимость положения максимума полосы поглощения от температуры. Это позволяет сделать вывод о том, что при наложении внешнего поля в этих веществах имеет место дипольная поляризация. [9]
Как и в н-алканах, в дициклогексиле и дишжлогексилметане наблюдается зависимость положения максимума полосы поглощения от температуры. Это позволяет сделать вывод о том, что при наложении внешнего поля в этих веществах имеет место дипольная поляризация. [10]
На примере спектров ( 3-замещенных тетралинов может быть также прослежена описанная выше зависимость положения максимумов поглощения от структуры группы, примыкающей к ароматическому кольцу. Таким образом, положение крайнего пика незначительно изменяется в зависимости от длины и строения замещающей цепи. [11]
Сопоставление кривых, представляющих зависимость логарифма вязкости от состава, по данным работ [137, 147], с нашими кривыми, выражающими зависимость положения максимумов отражения или поглощения от состава ( рис. 11.64), указывает на соответствие результатов, полученных разными методами. Диссоциация вышеуказанных соединений должна приводить к уменьшению вязкости при составе, отвечающем бисиликату натрия, что в действительности и наблюдается. С повышением температуры степень диссоциации соединения Na20 - 2Si02 должна увеличиться и, следовательно, эффект уменьшения вязкости в расплавленном состоянии при этом составе должен возрастать, что и подтверждается экспериментально в работе Престона. [12]
 |
Смещение положения полос в инфракрасных спектрах стекол системы Na20 - Si02 в зависимости от состава. [13] |
В области 20 - 25 мк ( 500 - 400 см 1) имеется третья очень сильная полоса поглощения. Зависимость положения максимумов полос селективного отражения Г и 1 и минимумов полосы 2 от состава показана на рис. 11.64. Из-за размытости полосы 2 в отражении для нее соответствующего графика не приводится. Из рис. 11.64 видно, что при изменении содержания Na20 в стекле все полосы смещаются. [14]
Суше [1084] обнаружил образование двух окрашенных продуктов, один из которых содержит два, а другой - четыре атома молибдена в пятивалентном состоянии из двенадцати имеющихся в молекуле. Это позволяет понять зависимость положения максимума светопоглощения и величины молярного коэффициента погашения от используемого восстановителя и условий восстановления. [15]
Страницы: 1 2