Определение - электронная плотность
Cтраница 1
 |
Кристаллическая решетка. [1] |
Определение электронной плотности в кристаллах димагниевого силицида [542-543] показало, что между атомами кремния в направлении [100] она понижается почти до нуля. Это указывает на отсутствие в Mg2Si электронов проводимости. Атомы магния и кремния в этом силициде почти не ионизированы, а полярные силы очень слабы. Этот силицид магния принадлежит к координационным соединениям. Он обладает большой хрупкостью и высоким электросопротивлением. Буш и Винклер [103] установили, что димагниевый силицид все же обладает электропроводностью. [2]
Определение электронной плотности но (8.36) имеет лишь приближенный физический смысл. Действительно, хотя на рис. 73, 74, 76, 79 полная электронная плотность ( W2 для связывающих МО) имеет максимумы в районе ядер атомов, она весьма значительна и в межъядерной области, что и обеспечивает связывание. Тем не менее выражение (8.36), общее для всех методов НДП, пренебрегающих перекрыванием, является полезным и наглядным приближением. [3]
Поскольку определение электронных плотностей с небольшим разрешением ( 0 5 нм) не столь трудоемко, обычно начинают исследование структуры кристалла белка с этого этапа. Развитие этого метода, осуществленное в 1952 - 1960 гг. лабораториями Кендрью и Перутца, стало значительным научным достижением. К настоящему времени известны пространственные структуры более 50 белков. [4]
Интерферометрия используется для определении электронной плотности плазмы. Обычно используются различные модификации интерферометра Маха - Цендера, приспособленные для скоростного покадрового фотографирования интерферограмм. [5]
Таким образом, сочетание двух методов определения электронной плотности - по уширению РРЛ и по радиояркости - позволяет получить важную информацию о структуре ионизо-ваного газа в НП-областях и планетарных туманностях. [6]
Как это следует из экспериментов по определению электронной плотности, основой структуры веществ с тетраэдрическим расположением атомов является электронная решетка, образованная тетраэдрически расположенными мостиками, составленными из спаренных валентных электронов. Мостики более или менее размыты, в зависимости от атомного веса входящих в соединения элементов ( или от их главного квантового числа) и более или менее симметричны ( в отношении распределения электронной плотности вдоль мостика) в зависимости от различий в электросродстве единиц, заполняющих узлы решетки. Такими единицами являются остовы атомов, лишенные валентных электронов. Таким образом, электронная решетка есть результат взаимодействия атомов, остовы которых расположены в узлах решетки. Объемные свойства веществ данной кристал-лохимической группы определяются параметрами электронной решетки и остовов атомов. О деталях строения электронной решетки приходится судить главным образом на основании косвенных данных, точно известны только квантовые числа атомов. Что касается остовов атомов, то их можно характеризовать ионизационными потенциалами. [7]
В связи с этим особый интерес представляет определение электронной плотности на атоме, являющимся центром реакции, а также установление основных закономерностей ее изменения. Особое значение последнее имеет для ароматических и гетероциклических соединений, поскольку у них электронная плотность на реакционном центре может сильно меняться при введении различных заместителей. [8]
Мы не будем разъяснять, как решается задача определения электронной плотности кристалла во всех точках элементарной ячейки. Во всяком случае основой решения служит написанное равенство. Оно позволяет вычислить амплитуду любого дифракционного луча, если известна электронная плотность кристаллов. Нужной, однако, является обратная задача: нахождение электронного распределения в кристалле по найденным на опыте интен-сивностям дифрагированных лучей. Эта задача решается с успехом для весьма сложных кристаллов, содержащих до сотни атомов в элементарной ячейке. [9]
За последнее время для изучения фазового состава находит применение метод рентгеноструктурного анализа путем определения электронной плотности стекловидных веществ. Так, при исследовании фосфатных стекол с различным молярным отношением СаО / Р205 Ван-Везером [7] были получены кривые радиального распределения электронной плотности. Расшифровка этих кривых путем измерения плош адей под пиками показала характер связи между электронами ( Р, О, Са): так, 4 2 атома кислорода расположены вокруг одного атома фосфора, а каждый атом кальция окружен 6 - 8 - ю атомами кислорода. [10]
 |
Расчетные и экспериментальные кривые интенсивности рентгеновского излучения, прошедшего через полиэтиленовые пленки различной толщины, для неокольних вначешш Те. [11] |
Рассмотрим теперь, каким образом данные, получаемые из анализа сплошного спектра, используются для определения электронной плотности. [12]
Большое значение для расширения систематических исследований атомной структуры сложных химических соединений имеет развитие теории методов определения электронной плотности кристаллов. Рассмотрим принципиальный вопрос определения знаков структурных амплитуд. [13]
Основным методом определения положения атомов является построение электронной плотности кристаллов. В настоящем сообщении на основе данных, полученных в рентгеновской лаборатории Физико-химического института имени Л. Я. Карпова, рассматриваются методические вопросы, связанные с определением электронной плотности в кристаллических соединениях. [14]
Одновременно разработка методов эффективного учета различных побочных факторов, влияющих на интенсивность, позволила существенно понизить потери в точности при переходе от интенсивности к структурным амплитудам, а следовательно, адекватно снизить уровень погрешности в определении электронной плотности, координат атомов и констант колебаний атомов. Это дает возможность направить рентгеноструктурный анализ на решение ряда новых физико-химических задач, лежащих за пределами статической атомной структуры кристалла. [15]
Страницы: 1 2