Cтраница 1
Определение поля, создаваемого точечным зарядом е, расположенным вне проводящей среды, заполняющей полупространство, является простейшим примером применения так называемого метода изображений. Идея этого метода состоит в подборе таких дополнительных фиктивных точечных зарядов, которые вместе с данными зарядами создавали бы поле, для которого поверхность заданного проводника совпадала бы с одной из эквипотенциальных поверхностей поля. В данном случае это достигается введением фиктивного заряда е - е, расположенного в точке, представляющей собой зеркальное отражение точки е в граничной плоскости проводящей среды. [1]
Определение поля в пьезоэлектрическом теле должно производиться одновременно с определением его деформации и представляет собой совместную задачу электростатики и теории упругости. [2]
Определение поля дано в разд. [3]
Определение поля, создаваемого точечным зарядом е, расположенным вне проводящей среды, заполняющей полупространство, является простейшим примером применения так называемого метода изображений. Идея этого метода состоит в подборе таких дополнительных фиктивных точечных зарядов, которые вместе с данными зарядами создавали бы поле, для которого поверхность заданного проводника совпадала бы с одной из эквипотенциальных поверхностей поля. [4]
Определение поля между двумя замкнутыми непересекающимися проводниками, если известна разность потенциалов между ними. [5]
Определение поля, данное нами в § 2 и § 3, достаточно для вычисления сил, испытываемых в магнитном иоле рассматривав-1. Это совпадение обоих полей должно и может иметь место только вне помещенных в них тел, потому что всегда должны оставаться различия, характеризующие магнитное и электростатическое поле: мы представляем себе, что электростатическое основное поле не имеет внхрей, а магнитное основное поде не имеет источников. [6]
Определение поля влажности производилось путем определения влажности образца по слоям, расположенным параллельно пластинам рабочего конденсатора. Весь образец, толщина которого составляла 50 мм, раскалывался на 10 слоев толщиной по 5 мм. [7]
Определение предметно-проблемного поля такого рода исследования должно проводиться в контексте современного состояния социофилософского знания - ведь за полтора века развития социологии очень многое произошло с самой тканью науки. [8]
Определение поля функции 0 производится обычным для метода сеток путем: из уравнения (VI.36) вычисляются значения 0 во внутренних узлах, из уравнения (VI.39) - на контуре области. [9]
Определение поля допуска замыкающего звена производится путем: сложе-мм погрешностей в соответсгвин с их классификацией, как было указано ранее. [10]
Определение поля равномерно движущегося заряда сводится в теории относительности к алгебраическим преобразованиям, тогда как в старой электродинамике приходилось применять интегрирование. [11]
Для определения поля экспоненты десятичного числа с плавающей точкой используются знаки шаблона Е и К. Они могут ставиться только в поле экспоненты и не могут появляться в одной спецификации одновременно. [12]
Для определения поля экспоненты десятичного числа с плава-хяцей точкой используются знаки шаблона Е и К. Они могут ставиться только в поле экспоненты и не могут появляться в одной спецификации одновременно. [13]
В определение квазистационарного поля входит также требование, чтобы оно имело одну и ту же фазу по всей системе. [14]
Для определения поля излучения антенну можно представить в виде суперпозиции большого числа диполей длиной Az, причем каждый из них расположен в точке г. Величина дипольного момента меняется от диполя к диполю. [15]