Зависимость - расщепление
Cтраница 1
Зависимость расщепления 2А от т4 для моделей изотропного и медленного, изотропного относительно глобулы движения, от величин Sj и тх для. Полученные при этом численные значения аппроксимирующих коэффициентов а, р и у использовались для анализа экспериментальных данных и решения обратной спектральной задачи. [1]
Зависимость расщепления от температуры незначительна. Расщепление эфиров сопровождается также выделением водорода. [2]
Зависимость расщепления, обусловленного возможностью прохождения сквозь потенциальный барьер при крутильных колебаниях молекулы СН3ОН, от величины К ( согласно Келеру. [3]
 |
Ожидаемые области химических сдвигов сигналов часто встречающихся групп. [4] |
Ввиду зависимости расщепления от внешнего поля Нг на различных спектрометрах были бы получены различающиеся значения АЯ. Однако зависимость его от Я2 можно исключить, если проводить относительные измерения и фиксировать положение сигнала соответствующего вещества относительно сигнала стандартного соединения. [5]
 |
Ожидаемые области химических сдвигов сигналов часто встречающихся групп. [6] |
Ввиду зависимости расщепления от внешнего поля Нг на различных спектрометрах были бы получены различающиеся значения АН. Однако зависимость его от Нг можно исключить, если проводить относительные измерения и фиксировать положение сигнала соответствующего вещества относительно сигнала стандартного соединения. [7]
Поэтому при исследовании монокристаллов проявляется зависимость расщепления сигнала ЭПР от направления, а при поликристаллических образцах и стеклах это взаимодействие вызывает уширение и размазывание сигнала. В жидкостях оно усредняется обычно практически до нуля. [9]
 |
Расщепление вращательных уровней / 3 / 2 и / 5 / 2 состояния 2П3 / для молекулы NO в зависимости от наложенного магнитного поля. [10] |
На рис. 12 - 19 приведена зависимость расщепления вращательных уровней от магнитного поля. При более высоких значениях / величина g уменьшается, а следовательно, переходы внутри этих состояний могут наблюдаться только в более высоких магнитных полях или на более низких частотах. [11]
Мы можем рассматривать о и р как переменные, которые постепенно возрастают от 0 до их действительных значений, и исследовать зависимость расщепления от их отношения. [12]
Как и в случае пирамидальной инверсии (12.14), этот результат, полностью подтвержденный экспериментальными данными, может быть объяснен исходя из анализа зависимости расщепления уровней граничных орбиталей в переходной структуре типа X от электроотрицательности инвертирующего центра. [13]
Как и в случае пирамидальной инверсии (12.14), этот результат, полностью подтвержденный экспериментальными данными, может быть объяснен исходя из анализа зависимости расщепления уровней граничных орбиталей в переходной структуре типа X от электроотрицательности инвертирующего центра. [14]
 |
Расположение молекул винилгер-мана CH2CHGeH3 ( а и 1, 2, 4-триазо-да ( б в плоскости главных осей а и b. [15] |
Страницы: 1 2