Cтраница 1
Зависимость силы фототока ie фотоэлементе от величины наложенного на него напряжения U ( при неизменной освещенности фотокатода) называется вольт-амперной характеристикой фотоэлемента. [1]
Зависимость силы фототока i в фотоэлементе от величины наложенного на него напряжения U ( при неизменной освещенности фотокатода) называется вольт-амперной характеристикой фотоэлемента. [2]
![]() |
Зависимость силы но В0лны более эффективен. Если отто - т. [3] |
Для исследования зависимости силы фототока от длины волны необходимо определить силу тока насыщения, соответствующего определенной лучистой энергии монохроматического света. [4]
На рис. 28 приведены зависимости силы фототока от температуры для полидифенилдиацетилена. Это связывается с тем, что фотопроводимость осуществляется носителями, попадающими на уровень проводимости с уровней прилипания, куда они забрасываются при возбуждении молекул полупроводника светом. Чем меньше длина волны света, тем ближе к зоне проводимости забрасываются носители и тем, соответственно, меньше энергия активации фотопроводимости. Приведенные на рис. 28 данные свидетельствуют о наличии в полимерных полупроводниках ловушек с различной глубиной залегания относительно зоны проводимости. [5]
![]() |
Схема включения фотоэлемента.| Спектральная характеристика селенового и сернисто-серебряного фотоэлементов. [6] |
На рис. 42 представлена зависимость силы фототока от длины волаы для селенового и сернисто-серебряного фотоэлементов Общая чувствительность может быть измерена площадью, находящейся между кривой спектральной ЧП осью абсцисс. [7]
![]() |
Зависимость силы фототока от интенсивности светового потока при различных сопротивлениях гальванометра. [8] |
На рис. 37 показана зависимость силы фототока от интенсивности светового потока при разных сопротивлениях гальванометра. Как можно видеть, между силой фототока и интенсивностью светового потока на большом интервале существует прямая пропорциональность, которая особенно ярко выражена для малых внешних сопротивлений. [9]
На рис. 28 приведены зависимости силы фототока от температуры для полидифенилдиацетилена. Это связывается с тем, что фотопроводимость осуществляется носителями, попадающими на уровень проводимости с уровней прилипания, куда они забрасываются при возбуждении молекул полупроводника светом. Чем меньше длина волны света, тем ближе к зоне проводимости забрасываются носители и тем, соответственно, меньше энергия активации фотопроводимости. Приведенные на рис. 28 данные свидетельствуют о наличии в полимерных полупроводниках ловушек с различной глубиной залегания относительно зоны проводимости. [10]
Значения пороговых частот получены при непосредственном исследовании графиков зависимости силы фототока от длины волны [7], но более точное определение производится по зависимости корня квадратного из величины фототока на один падающий фотон от энергии фотона [29], так как обычно получается линейная зависимость, позволяющая проводить точную экстраполяцию, в интервале от ( hv - еф) л 1 0 эВ до hv еср. Определение с помощью функции Фаулера также требует знания плотности фотонов в каждой области частот. Калибровка интенсивности пучка света, падающего из источника с моно-хроматором, в зависимости от выбранной длины волны обычно производится с помощью вакуумного термоэлектрического элемента ( термостолбик) или калиброванной фотолампы. [11]
Если бы все освобождамые электроны имели одинаковую скорость, то зависимость силы фототока от тормозящего потенциала имела бы вид, изображенный на рис. 173: до тех пор, пока тормозящий потенциал не достигнет определенной величины V Vg, сила тока не зависит от потенциала. При V Vg ток сразу становится равным нулю. [12]
Среди них важнейшее значение имеют опыты по селективному фотоэффекту. На рис. 22, а показана зависимость силы фототока насыщения от длины волны для нормального фотоэффекта, подробно рассмотренного в § 2, а на рис. 22 6-для селективного. Из рис. 22 можно заключить, что более энергичные коротковолновые фотоны значительно эффективнее выбивают электроны из катода. [13]
![]() |
Зависимость силы фототока от длины волны. Нормальный фотоэффект. АО. [14] |
Корпускулярные свойства фотона не должны заставить нас забыть о том, что для огромного круга явлений, с которыми мы ознакомились ранее, волновые представления оказались в высшей степени плодотворными. Отметим только, что и в явлении фотоэффекта есть черты, говорящие в пользу классических волновых представлений о свете. Эти черты особенно отчетливо выступают при исследовании зависимости силы фототока от длины волны. [15]