Cтраница 2
Существуют два метода измерения температуры: контактный и бесконтактный. Для измерения температуры контактным методом применяют термометры расширения, использующие свойства тел или веществ изменять свой объем под действием температуры ( жидкостные, дилатометрические термометры); манометрические термометры, использующие зависимость давления вещества ( газа или насыщенного пара) при постоянном объеме от температуры; термопреобразователи сопротивления ( термометры сопротивления), использующие способность различных материалов изменять свое электрическое сопротивление с изменением температуры; преобразователи термоэлектрические ( термоэлектрические термометры, термопары), использующие зависимость термоэлектродвижущей силы ( термоэдс) термопары от температуры. [16]
В сплавах, представляющих собой тонкую металлическую смесь кристаллических зерен двух металлов ( например, в сплавах олова с кадмием), термоэлектродвижущие силы определяются по правилу смешения. При некоторых концентрациях компонентов возникают интерметаллические соединения, что преобразует кристаллическую структуру; например, в случае сплавов меди с алюминием резко изменяется вид кривой, выражающей зависимость термоэлектродвижущей силы от состава сплава: появляются подъемы и провалы с точками максимумов и перегибов. Поэтому экспериментальное изучение зависимости термоэлектродвижущей силы сплавов от концентрации компонентов является чувствительным методом физико-химического анализа - сплавов. [17]
Как отмечал Харвей [53], высокая концентрация электронов и дырок ( и других дефектов) может влиять на химический потенциал электронов и дырок еще и другим путем, а именно через экранирование по Дебаю и Хюккелю. При этом изменяется е, что исключает возможность использования краев зон в качестве стандартных уровней и обусловливает выбор другого стандартного состояния. В работе [53] описано, каким образом это может быть сделано. Однако следует заметить, что во многих случаях экспериментальные данные удается удовлетворительно проанализировать без учета смещения стандартных уровней. Вопрос о том, когда применять модель перескакивающего электрона, а когда зонную модель, наилучшим образом может быть решен исследованием полупроводниковых свойств кристалла: экспоненциальное увеличение подвижности с температурой является определенным указанием на возможность использования модели перескакивающего электрона. Согласно Енкеру и др. [54], выбор можно сделать на основе приведенного выше статистического выражения, из анализа зависимости термоэлектродвижущей силы от определенной по эффекту Холла концентрации носителей тока. В случае ТЮ2 Бьессем и др. [55] на основании анализа равновесия кристалл - пар решили этот вопрос в пользу модели перескакивающего электрона. По-видимому, это довольно длинный путь, но он представляется возможным. [18]