Cтраница 2
Для измерения tg 8 и емкости образцов диэлектриков обычно пользуются такими-же образцами и электродами, что и для определения удельного объемного сопротивления. [16]
Для измерения tg6 и емкости образцов диэлектриков обычно пользуются такими же образцами и электродами, что и для определения удельного объемного сопротивления. [17]
Для измерения tg б и емкости образцов диэлектриков обычно пользуются такими же образцами и электродами, что и для определения удельного объемного сопротивления. [18]
Прежде чем познакомиться с физической природой электропроводности твердых диэлектриков и ее особен-мостами, рассмотрим одну закономерность, имеющую практическое значение при определении удельного объемного сопротивления по величине тока объемной утечки. [19]
Прежде чем познакомиться с физической природой электропроводности твердых диэлектриков и ее особенностями, рассмотрим одну закономерность, имеющую практическое значение при определении удельного объемного сопротивления по величине тока объемной утечки. На рис. 2 - 20 ток в диэлектрике показан не с самого момента подачи постоянного напряжения, а спустя короткий отрезок времени, в течение которого прекращаются токи, вызванные быстро устанавливающимися поляризационными процессами. [20]
Схема и электроды для определения удельных сопротивлений плоских твердых диэлектрика. [21] |
О - - образец диэлектрика; V-вольтметр; G-зеркальный гальванометр; rt - защитное сопротивление; гл-шунт гальванометра; Я, и П - переключатели; Э - металлический экран; а-присоединение в схему электродов для определения удельного объемного сопротивления; б-присоединение в схему электродов для определения удельного поверхностного сопротивления; / - измерительный электрод; 2-заземленный электрод; 3 - образец диэлектрика; 4-электрод высокого потенциала; 5-экран. [22]
Схема и электроды для определения удельных сопротивлений плоских твердых диэлектриков. [23] |
О - образец диэлектрика; V - вольтметр; G - зеркальный гальванометр; г - защитное сопротивление; г2 - шунт гальванометра; Л, и Я2 - переключатели; Э - металлический экран; а - присоединение в схему электродов для определения удельного объемного сопротивления; б - присоединение в схему электродов для определения удельного поверхностного сопротивления; / - верхний измерительный электрод; 2 - охранное кольцо; 3 - образец диэлектрика; 4 - нижний электрод; 5 - экран. [24]
Удельное объемное сопротивление определяют через 1 5 - 2 ч после выдержки образцов при 20 2 С. Для определения удельного объемного сопротивления применяют электроды из фольги. [25]
При определении удельного объемного сопротивления диэлектрика учитывают только сквозной ток. В большинстве случаев в измеряемых образцах диэлектриков сквозной ток устанавливается сравнительно быстро. Поэтому при определении удельного объемного сопротивления отсчет тока делают через 1 мин после включения постоянного напряжения на образец. [26]
При определении удельного объемного сопротивления диэлектрика учитывают только сквозной ток. В большинстве случаев в измеряемых образцах диэлектриков сквозной ток устанавливается сравнительно быстро. Поэтому при определении удельного объемного сопротивления отсчет тока делают через 1 мин после включения постоянного напряжения на образец. В работах академика А. Ф. Иоффе и его учеников экспериментально было доказано образование внутри диэлектрика объемных поляризационных зарядов, вызывающих искажение электрического поля. [27]
По величине образцы берутся такие же, как и при определении удельного объемного сопротивления. [29]
Схема включения образцов с электродами в установку при измерении удельного поверхностного электрического сопротивления. [30] |