Cтраница 2
Определение чувствительности прибора осуществляется размещением феррозондового датчика в одной из измерительных катушек меры магнитной индукции Гемгольца ММИ-1, в которых создается образцовое магнитное поле. [16]
Определение чувствительности осциллографа производится при подаче на его вход сигнала синусоидальной формы от какого-либо генератора. [17]
Определение чувствительности схемы к отклонению параметров элементов связано с расчетом коэффициентов влияния. Укрупненная схема алгоритма расчета коэффициентов влияния изображена на рис. 11.15. Программа 11.1 реализует этот алгоритм. [18]
Определение чувствительности весов производят так же, как и для микровесов, только рейтер перемешают не на 0 1 мг, а на 1 мг. [19]
Определение чувствительности схемы к отклонению параметров элементов связано с расчетом коэффициентов влияния. Укрупненная схема алгоритма расчета коэффициентов влияния изображена на рис. 11.15. Программа 11.1 реализует этот алгоритм. [20]
![]() |
Годографы первой ( а и третьей ( б гармоник. роходного преобразователя с однородным полем от параметра х. при контроле круговых цилиндров из конструкционных сталс / i. [21] |
Определение чувствительности ВТП к дефектам г объекта представляет собой сложную задачу даже в случае дефектов простой геометрической формы. [22]
Определение чувствительности горелок к изменению соотношения газа и воздуха в смеси производится следующим образом: после настройки горелки на определенное соотношение газа с воздухом ( при том же общем расходе) фиксируют соответствующие показания термопар. [23]
Определение чувствительности реакции показало, что предлагаемая методика дает возможность открывать торий в смеси всех перечисленных выше ионов при минимальном его содержании 2 83 - 10 - 4 г / мл. Чувствительность реакции на уран составляет 2 85 - Ю-5 г / мл. [24]
Определение чувствительности дифференциальной схемы в общем виде приводит к довольно сложному уравнению, поэтому рассмотрим числовой пример. [25]
Определение чувствительности негативных электронорезистов хорошо иллюстрирует рис. VII. Полимерный резист, нанесенный на подложку, на заранее определенной площади экспонируется рядом подходящих доз излучения. [26]
Определение чувствительности позитивных резистов проводят двумя несколько различающимися способами. [27]
![]() |
Зависимость массовой доли геля сг от нормализованной дозы излучения DjDr для сополимера бутадиена с 2 3-эпокснпропнлметакрнлатом. [28] |
Определение чувствительности негативных электронорезистов хорошо иллюстрирует рис. VII. Полимерный резист, нанесенный на подложку, на заранее определенной площади экспонируется рядом подходящих доз излучения. [29]
Определение чувствительности позитивных резистов проводят двумя несколько различающимися способами. [30]