Зависимость - излучательная способность
Cтраница 1
Зависимость излучательной способности от химической связи определяется тем, что в обоих случаях структурной единицей являются электроны на внешних незаполненных уровнях. Изменение энергии последних во время превращений отражается на условии квантования. Плавное изменение энергии связи метастабильных фаз под влиянием температуры ведет к монотонному ходу излучательной способности. Фазовые переходы скачкообразно изменяют энергию связи и поэтому вызывают резкий переход в закономерностях излучения. После необратимых превращений обычно наблюдается иная температурная зависимость степени черноты полного излучения. [1]
Из рис. 2.2, на котором показан график зависимости излучательной способности от длины волны и температуры, видно, что увеличение температуры источника приводит к значительному росту интенсивности излучения в коротковолновой области и лишь к слабому - в длинноволновой. С повышением энергии коротковолнового излучения в приборе увеличивается уровень рассеянного света, поэтому не очень выгодно переходить к высокотемпературным источникам света. В дальней ИК-области ( 100 см 1) ртутная лампа высокого давления излучает лучше, чем накаленные нити или стержни. В любом спектрофотометре размеры источника должны быть такими, чтобы его изображение заполняло апертуру прибора во всех областях спектра. [2]
Из рис. 2.2, на котором показан график зависимости излучательной способности от длины волны и температуры, видно, что увеличение температуры источника приводит к значительному росту интенсивности излучения в коротковолновой области и лишь к слабому - в длинноволновой. С повышением энергии коротковолнового излучения в приборе увеличивается уровень рассеянного света, поэтому не очень выгодно переходить к высокотемпературным источникам с ета. В дальней ИК-области ( 100 см 1) ртутная лампа высокого давления излучает лучше, чем накаленные нити или стержни. В любом спектрофотометре размеры источника должны быть такими, чтобы его изображение заполняло апертуру прибора во всех областях спектра. [3]
На рис. 13 - 11 и 13 - 12 приводятся графики зависимости излучательной способности в различных направлениях для некоторых проводников и непроводников электричества. [4]
Однако следует отметить, что выражение ( 2 - 89) не раскрывает зависимость излучательной способности от температуры. В то же время такая зависимость очень важна при выборе материала, работающего в интервале температур от 273 до 20001 К. [5]
Опираясь на законы термодинамики и электродинамики, Вин в 1893 г. определил характер зависимости излучательной способности абсолютно черного тела от частоты и температуры. [6]
Формула (201.2), полученная Планком, дает превосходное согласие с результатами самых тщательных экспериментальных исследований зависимости излучательной способности черного тела от v и Г и является, таким образом, полным решением основной задачи, поставленной Кирхгофом. [7]
 |
Развернутый во времени спектр излучения воздуха при температуре 11 500 К и давлении 60 атм.| Развернутый во времени спектр излучения газов ( 30 % CO2 70 % N2 при температуре 8000 К и давлении. [8] |
Поскольку зависимость излучательной способности вольфрама от длины волны достаточно хорошо изучена, то эти микрофотограммы позволяют перейти от почернений в спектре исследуемого газа к зависимости интенсивности в относительных единицах от длины волны. Этот вариант метода позволяет освободиться от громадного и трудоемкого построения характеристических кривых пленки для каждой длины волны. [9]
 |
Зависимость коэффициента передачи тока транзисторной оптопары от температуры.| Транзисторная оптопара в ключевом режиме эксплуатации. [10] |
Температурная зависимость коэффициента передачи по току иллюстрируется рис. 5.68. При больших входных токах ( кривая 2) эта зависимость такая же, как и у диодной оптопары, при малых ( кривая /) существенно отличается. Характер рассмотренных зависимостей объясняется видом зависимости излучательной способности излучателя и коэффициента передачи фототранзистора от температуры и тока. [11]
Температура вольфрамового шарика или какого-либо иного источника сплошного излучения определяется обычно оптическим пирометром. Пирометр калибруется в красной области спектра по излучению черного тела при данной температуре; экстраполяция к более высоким температурам производится по законам излучения черного тела. Так как вольфрам не является абсолютно черным телом, температура, измеряемая пирометром, значительно ниже истинной, но поскольку как при измерении оптическим пирометром, так и в методе обращения линии натрия существенны яркостные температуры, то в первом приближении это обстоятельство несущественно. Кроме того, необходимо учитывать зависимость излучательной способности вольфрама от длины волны [188]; однако соответствующая поправка очень мала. Если пирометр направлен непосредственно на вольфрамовый шарик, то при измерении может иметь место ошибка порядка 5 С, обусловленная ослаблением яркости источника света за счет потерь на отражение в линзе Lt; эту погрешность можно устранить, - вводя между вольфрамом и оптическим пирометром соответствующее количество стеклянных поверхностей; ее можно также учесть, вычислив поправку на отражение. [12]
 |
Зависимость коэффициента передачи по току транзисторной оптопары от температуры. [13] |
Характеристики транзисторной оптопары существенно отличаются от аналогичных характеристик диодной. Передаточная характеристика по току отклоняется от линейной зависимости, причем тем больше, чем выше усилительные свойства самого транзистора и чем больше входной ток. Температурная зависимость коэффициента передачи по току иллюстрируется рис. 3.9. При больших входных токах ( кривая 2) эта зависимость такая же, как и у диодной оптопары, при малых ( кривая J) существенно отличается. Характер рассмотренных зависимостей объясняется видом зависимости излучательной способности излучателя и коэффициента передачи фототранзистора от температуры и тока. [14]
К варьировались, чтобы согласовать экспериментальные значения излучательной способности, приведенные Хоттелом. Найдено, что хорошее согласование для всех оптических плотностей и температур можно получить, если ввести другую полосу. Наилучшие значения интенсивностей, которые дают графики зависимости излучательной способности от оптической плотности, приведенные на фиг. [15]
Страницы: 1