Cтраница 2
В промежутке между прямыми 2 и 4, где существуют два устойчивых стационарных состояния, реакция идет в диффузионном или кинетическом режиме, в зависимости от первоначальной температуры активной поверхности. Здесь мы наблюдаем типичное явление гистерезиса: скорость процесса зависит не только от условий, действующих в данный момент, но и от предыдущего состояния системы. Характерная гистерезисная петля показана на рис. II 1.4, изображающем зависимость температуры поверхности от температуры ядра потока. [16]
Поскольку предполагается, что скорость роста грани постоянна как во времени, так и вдоль поверхности грани, правая часть условия непрерывности потока (9.4) или (9.38) остается постоянной, а концентрация, напротив, меняется вдоль поверхности кристалла; этим рост гранной формы отличается от роста других уже рассмотренных форм. Иванцов [63], также исследовавший кристаллизацию с очень малой линейной скоростью, установил, что при росте из расплава центр грани - самый горячий участок, а вершина - самый холодный. Однако Иванцов учел зависимость температуры поверхности кристалла от времени, что затрудняет установление количественного соответствия его расчетов с данными Зегера. [17]
Воздух при температуре 1 100 С и давлении 10 бар, движущийся со скоростью 30 м / сек, продольно обтекает плоскую пластину. Участок пластины длиной 0 9 м от передней кромки непроницаем, остальная часть пластины - пористая. Вычислите также зависимость температуры поверхности от массовой скорости охладителя, если йы он просто отводил тепло с поверхности за счет вынужденной конвекции, а не вдувался в пограничный слой. Считайте, что охладитель покидает систему, приняв температуру поверхности. [18]