Зависимость - ток - короткое замыкание
Cтраница 1
 |
К определению кратности тока короткого замыкания. [1] |
Зависимость тока короткого замыкания от тока возбуждения снимается при закороченной амперметрами обмотке якоря при постепенном повышении тока возбуждения от нуля до значения 1К, примерно равного номинальному значению. [2]
Зависимость тока короткого замыкания / Ki от значения напряжения Ui, подведенного к первичной обмотке при коротко-замкнутой вторичной, называется характеристикой короткого замыкания трансформатора. [3]
 |
Характеристика короткого. [4] |
Ввиду близости зависимости тока короткого замыкания от тока возбуждения к прямой линии, нет никакой надобности в производстве большого количества отсчетов для ее построения; достаточно трех-четырех надежно произведенных измерений. [5]
 |
Принципиальные схемы несимметричных коротких замыканий. а двух фаз друг на друга. о - двух фаз на нейтраль. в - одной фазы на. [6] |
Помимо снятия зависимостей тока короткого замыкания от тока возбуждения, при этих опытах производится также определение напряжения на свободной фазе, не участвующей в коротком замыкании; оно используется при обработке результатов опытов, а также представляет и самостоятельный интерес, так как иногда достигает очень значительных величин. [7]
 |
Зависимость тока корот -. [8] |
На рис. 25 показана зависимость тока короткого замыкания / 0 и напряжения холостого хода от интенсивности падающего света. [9]
 |
Спектральная характеристика пленочного элемента. [10] |
На рис. 10.4 показана зависимость тока короткого замыкания и напряжения холостого хода от интенсивности света. Как обычно, зависимость тока линейная. [11]
Характеристика короткого замыкания устанавливает зависимость тока короткого замыкания генератора от тока возбуждения. Испытание начинают при значении тока короткого замыкания, несколько превышающего номинальный ток, и при постепенном понижении возбуждения. [12]
Другой способ определения диффузионной длины по фототоку p - n - перехода основан на анализе зависимости тока короткого замыкания / к от толщины слоя w при перемещении луча лазера вдоль косого шлифа. [14]
Зависимость ЭДС фотомагнитоэлектрического эффекта от интенсивности света и индукции магнитного поля по сравнению с той же зависимостью тока короткого замыкания носит более сложный характер, так как следует учитывать зависимость фотопроводимости образца от интенсивности света. При высоком уровне возбуждения, когда фстопроводимость значительно превышает темновую проводимость образца, фото-магнитная ЭДС стремится к насыщению. [15]
Страницы: 1 2