Зависимость - ток - коллектор
Cтраница 4
 |
Входные ( а и выходные ( б характеристики транзисторов в схеме с общим эмиттером. [46] |
Выходные характеристики транзистора для схем с ОЭ ( рис. 55, б) представляют зависимость тока коллектора / p ( f / Ke) при / б const. В активном режиме с подачей на базу отрицательного ( от-носительно эмиттера) напряжения через эмиттерный переход проходит ток / в, обусловленный инжекцией неосновных носителей в базу. [47]
Выходная характеристика транзистора, включенного по схеме ОЭ ( рис. 12, в), выражает зависимость тока коллектора от напряжения между коллектором и эмиттером при постоянном значении тока базы. [48]
 |
Статические выходные характеристики триода ГТ-13А. [49] |
На рис. 9 показано семейство статических выходных характеристик триода ( типа П-13 А), представляющих зависимость тока коллектора от напряжения между коллектором и эмиттером при неизменном токе базы. Как видно из характеристик, ток коллектора при увеличении напряжения 17КЭ вначале резко возрастает, а потом остается почти неизменным и определяется в основном током базы. [50]
На рис. 58, б приведены зависимость тока базы / б от напряжения на базе U и зависимость тока коллектора / к от напряжения на коллекторе UK. [51]
Чтобы видеть, что происходит, вернемся к выражениям зависимости тока стока ПТ от напряжения затвор-исток и сравним с эквивалентным уравнением ( Эберса - Молла) зависимости тока коллектора биполярного транзистора от напряжения база-эмиттер. [52]
Способ линейного управления реализуется на основе использования линейной зависимости от тока коллектора / к биполярного транзистора при малых его изменениях А / к крутизны переходной характеристики / к / ft / вэ) - зависимости тока коллектора от напряжения f / БЭ на эмиттерном переходе. [53]
 |
Схема для определения времени жизни по кинетике фотопроводимости. [54] |
Коллекторный зонд устанавливается в некоторой точке на плоской поверхности нитевидного образца, по которой совершает колебательные движения световой луч. Зависимость тока коллектора от времени, определяемая величиной избыточной концентрации неосновных носителей заряда в области точечного контакта, будет описываться двумя экспоненциальными законами вида const-e - 9l z, где величины Gj и 92 различны и соответствуют одна - случаю движения светового пятна к коллектору, а вторая - случаю движения светового пятна от коллектора. Решение уравнения непрерывности дает выражение для величин 6г и 92 через рекомбинационные параметры, и можно найти, что время жизни неосновных носителей заряда выражается как т 6j - 02, а диффузионная длина L, - оУв, где v - скорость движения светового пятна относительно коллектора. [55]
Токи в транзисторе сильно зависят от температуры окружающей среды, что является общим недостатком полупроводниковых приборов. Рассмотрим зависимость тока коллектора от температуры при постоянном входном токе базы. В (1.4) входят члены, зависящие от температуры. Во-первых, с ростом температуры растет ток 7кбо ( значение его удваивается через каждые 8 - 10 С), так как увеличивается концентрация неосновных носителей в слоях. Во-вторых, коэффициент передачи тока базы р при увеличении температуры также увеличивается. При нагреве на 20 - 30 С / к может изменяться на десятки процентов. [56]
Токи в транзисторе сильно зависят от температуры окружающей среды, что является общим недостатком полупроводниковых приборов. Рассмотрим зависимость тока коллектора от температуры при постоянном входном токе базы. В (1.4) входят члены, зависящие от температуры. Во-первых, с ростом температуры растет ток / КБО ( значение его удваивается через каждые 8 - 10 С), так как увеличивается концентрация неосновных носителей в слоях. Во-вторых, коэффициент передачи тока базы р при увеличении температуры также увеличивается. При нагреве на 20 - 30 С / к может изменяться на десятки процентов. [57]
 |
Коллекторные характеристики биполярного транзистора при управлении по эмиттерной цепи.| Коллекторные характеристики биполярного транзистора при управлении по базовой цепи. [58] |
При работе транзистора в активной области одной из основных характеристик его является выходная, так называемая коллекторная характеристика. Она представляет собой зависимость тока коллектора от выходного напряжения с параметром входной ток. [59]
Для выбора наивыгоднейшего режима работы усилительного прибора необходимо располагать его характеристиками, которые представляют собой для электронной лампы графики зависимостей тока анода от напряжений на электродах. Для транзисторов обычно пользуются зависимостью тока коллектора от тока базы ( основания) и напряжения на коллекторе. Часто бывает желательно располагать указанными зависимостями в виде математических выражений. Получение таких выражений в точном виде представляет значительные трудности. Но для трехэлектродных ламп можно получить приближенные выражения, расчеты по которым хорошо совпадают с действительными результатами. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5