Опрокидывание - ждущий мультивибратор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Извините, что я говорю, когда вы перебиваете. Законы Мерфи (еще...)

Опрокидывание - ждущий мультивибратор

Cтраница 2


Подготовка к выводу на печать знака запятая происходит аналогично подготовке к выводу цифровой информации. После опрокидывания ждущего мультивибратора с выхода UV1 инвертора N90 сигнал L через схему И б / н ( 6D) поступает на вход схемы К59 и переключает запоминающий контур знака запятая в рабочее состояние ( схемы К59 и К60, инверторы.  [16]

Сенсорный пуск ЛПМ диктофона в режиме воспроизведения производят прикосновением к пластине сенсора Kmi, подключенной ко входу универсального усилителя через разъем Ша. Благодаря высокой чувствительности усилителя при прикосновении к сенсору рукой на линейном выходе блока диктофона появляется сигнал, достаточный для опрокидывания ждущего мультивибратора блока автоматики, обеспечивающий пуск ЛПМ.  [17]

Управление пуском и остановом ЛПМ осуществляется голосом. Пуск происходит в начале диктовки, а останов-через 2 - 3 с после окончания диктовки. При диктовке на линейном выходе блока диктофона возникает переменное на - пряжение, первый импульс которого вызывает опрокидывание ждущего мультивибратора на транзисторах Т4 и Та, затем срабатывает реле PI, которое отключает электромагнит Эм от источника питания. При этом прижимной ролик подходит к ведущему валу и начинается продвижение ленты. По окончании диктовки логической группы слов через 2 - 3 с происходят отпускание реле Pi, включение электромагнита и отжатие прижимного ролика от ведущего вала.  [18]

В момент времени t t2 напряжение и С2 на перезаряжающемся конденсаторе С2 достигает порогового значения. Вследствие этого транзистор TI закрывается. Конденсатор Q ускоряет процессы открывания и закрывания транзистора 7 так же, как это происходит в транзисторном ключе с форсирующей емкостью. Таким образом, в момент t2 происходит обратное опрокидывание ждущего мультивибратора, и устройство возвращается в устойчивое состояние.  [19]

На базе открытого транзистора сохраняется отрицательный потенциал по отношению к эмиттеру, который удерживает транзистор в открытом состоянии. Пропорционально времени заряда реактивное сопротивление Хс конденсатора С2 увеличивается, ток заряда уменьшается, потенциал базы становится более положительным. При достижении на базе небольшого положительного потенциала по отношению к эмиттеру транзистор Т2 закрывается. Отрицательный перепад напряжения на коллекторе транзистора Т2 вызывает лавинообразный процесс опрокидывания ждущего мультивибратора в исходное состояние.  [20]

Электроны второй обкладки емкости через резистор R5, базу-эмиттер открытого транзистора Т2, резисторы R11 nRlO поступают на положительные полюсы источников питания 12 В, - 12 В. В результате концентрации электронов на базе открытого транзистора создается определенный отрицательный потенциал, который удерживает транзистор Т2 в открытом состоянии. На коллекторе транзистора Т2 формируется отрицательный перепад напряжения, который через ускоряющую емкость С1 поступает на базу транзистора Т1 и обеспечивает опрокидывание ждущего мультивибратора в исходное состояние. Регулировочный резистор R11 дает возможность изменять величину тока источника смещения и длительность рабочего состояния ждущего мультивибратора.  [21]



Страницы:      1    2