Cтраница 1
Зависимость обратного тока от различных факторов ( ток нагрузки, скорость спадания) качественно аналогична зависимости для диодов. Процесс выключения тиристора для различных типов вентилей и условий работы занимает от единиц до сотен микросекунд. [1]
Зависимость обратного тока через диод от времени irr ( t) также получается из решения нестационарного уравнения непрерывности. Таким образом, при принудительном переключении диода, в отличие от рассмотренного выше случая спада прямого тока до нуля, избыточный заряд дырок в n - базе исчезает как за счет рекомбинации, так и благодаря его уходу через обратносмещенный р - л переход. [2]
Зависимость температурного коэф - Зависимость обратного тока от фициента емкости от температуры. [3]
Уточненная модель генерационно-рекомбинационных процессов позволяет объяснить зависимость обратных токов некоторых диодов от напряжения. Эти диоды были изготовлены из высо-коомного германия с небольшой добавкой золота, которое создает в германии центры рекомбинации и позволяет резко уменьшить время жизни носителей зарядов, что необходим для создания быстродействующих приборов. [4]
При изучении обратной ветви вольт-амперной характеристики у диодов была обнаружена зависимость обратного тока от длительности прикладываемого импульса напряжения. Вначале за 10 - 30 мс ток резко падает, затем постепенно нарастает. [5]
Нижняя кривая соответствует разомкнутому положению ключа в цепи эмиттера и показывает зависимость обратного тока коллектора от напряжения на коллекторном переходе. [6]
Значения этих напряжений могут быть установлены подбором параметров делителя RJR2 - Вследствие зависимости обратных токов от температуры схема чувствительна к изменениям температуры. Компенсация температурных воздействий может быть осуществлена выполнением делителя Ri / Rz из температурнозависимых сопротивлений, например, с использованием полупроводниковых термосопротивлений с отрицательным температурным коэффициентом. [7]
Теоретические вопросы, связанные с работой ртутных выпрямителей, это - вопросы о зависимости обратных токов с анода в его нерабочий период и напряжения обратного зажигания от различных условий, в том числе от материала анодов, вопросы теплового баланса различных частей выпрямителя и вопрос о разрыве дуги при больших токах. [8]
![]() |
Экспериментальные зависимости напряжений иа, и3. к и мощности Рр от коэффициента насыщения при коллекторном токе 4 а. триод типа П4Б. [9] |
Для маломощных триодов при небольших значениях напряжения на коллекторном переходе имеет место эйсакшен циалшая зависимость обратного тока от температуры: ток / к. [10]
Подобная схема компенсации позволяет до известной степени компенсировать и температурный дрейф, вызванный зависимостью тока утечки затвора от температуры, так как зависимость обратного тока от температуры для ряда кремниевых диодов аналогична дрейфу тока утечки затвора. [11]
Основные свойства селенового элемента определяются его вольтамперной характеристикой, представляющей для прямого направления зависимость падения напряжения на элементе от величины прямого тока, для обратного направления - зависимость обратного тока через элемент от приложенного к элементу обратного напряжения. [12]
Исследование температурной зависимости обратного тока коллектора триода, включенного по схеме со свободной базой ( рис. 8 - 1 в), показывает, что его температурная характеристика подобно температурной характеристике диода описывается выражением ( 1 - 1), если рас - мка сматривается зависимость начального статического сопротивления от температуры, или выражением ( 6 - 11), если надо еооа-описать зависимость обратного тока от температуры. Об - soon - ратный ток коллектора в схеме со свободной базой значительно больше обратного тока коллектора в схеме со свободным эмиттером, измеренным при той же температуре. [13]
При повышении температуры увеличивается тепловая энергия носителей, возникает генерация - образование свободных электронов и дырок, что ведет к появлению дополнительных основных и неосновных носителей. Зависимость обратного тока от температуры сильнее - сказывается на более высокоомном материале. Изменение-температуры гораздо слабее ощущается на прямой ветви. [14]
![]() |
S. Наблюдаемые при температуре жидкого гелия вольтамперные характеристики туннельного диода, позволяющие определить энергию фононов. [15] |