Зависимость - критический ток
Cтраница 1
Зависимость критического тока от напряжения коллектор-эмит - тер. [1]
Зависимость критического тока от напряжения коллектор-эмит - - тер. [2]
 |
Сечение ленты с покрытием Nb3Sn. [3] |
Для того чтобы определить зависимость критического тока ленты из NbsSn от приложенного магнитного поля, проводились испытания на коротких образцах длиной около 2 см. Для создания наиболее критических ситуаций ленту ориентировали так, что ее широкая часть была направлена перпендикулярно к направлению магнитного поля. [4]
На рис. 2 показана типичная кривая зависимости критического тока от индукции магнитного поля для указанной выше проволоки длиной 5 см и сечением 0 25 мм. [5]
 |
Образец поликристаллического станнида. [6] |
На станниде ниобия, нанесенном на изолятор, можно изучать такие явления, как нарушение структуры под действием радиации, туннельный переход, теплопроводность ( в этом случае материал удаляется с подложки), микроволновой поверхностный импеданс, намагничивание полых цилиндров, изменение удельного сопротивления с температурой и зависимость критического тока от напряженности и ориентации магнитного поля. [7]
 |
Скорость анодного процесса на меди при различных потенциалах в зависимости от активности хлор-ионов. [8] |
При еще более высоких плотностях тока недостаток хлор-ионов в приэлектродном слое еще более обостряется, и на аноде уже образуется CuCl. Зависимость критического тока пассивации от активности хлор-иона в координатах lg i p - Igaci - имеет наклон, равный единице. [9]
 |
Кривые критического состояния для коротких образцов ( пунктир и катушек, показывающие ликвидацию нестабильностей катушек в слабом поле при увеличении внешнего поля. [10] |
Кривая 3 получена при испытании катушки на 390 э / а, укрепленной во внешнем поле медного магнита, который мог давать поле свыше 100 кэ. Измерения зависимости критического тока от поля для этой катушки приведены в полях до 122 кэ. [11]
В большинстве случаев при исследовании деградации катушек в качестве сравнительных используются характеристики коротких образцов, дающих наибольшие критические токи. Однако замечено, что измеренная зависимость критического тока от поля для коротких образцов сплава Nb-Zr также зависит как от скорости, так и от последовательности введения поляки тока. Большая скорость нарастания тока дает более низкие значения критического тока. Изменение магнитного поля при заданном токе также приводит к получению более низкого критического тока, чем изменение тока при заданном поле. [12]
Детально рассмотрены вопросы методики осаждения Nb3Sn через газовую фазу на различных подложках, фазовое равновесие в системе ниобий - олово и методы химического анализа. Главную часть этого сборника составляют статьи, посвященные измерению основных сверхпроводящих параметров Nb3Sn, а также исследованию зависимости критического тока от внешнего магнитного поля. После этого следуют три статьи, посвященные использованию разработанной методики и изученных явлений для создания сверхмощного магнита. Последняя статья является дальнейшей разработкой БКШ-теоршт. [13]
Показано, что для широкой области значений параметров Tet Tf, для условий полярной ионосферы ионно-циклотронная мода неустойчива при меньших токах, чем ионно-звуковая. Обе неустойчивости анализируются в одно - и многокомпонентных плазмах. Зависимости критических токов от высоты показывают, что, поскольку они текут через верхнюю ионосферу, токи с плотностью 109 - 1010 эл / с-см 2 при h 200 км будут раскачивать только EIC-волны. Продольные токи протекают по верхней ионосфере в бесстолкнови-тельной, но многокомпонентной плазме, состав которой зависит от высоты. В [336] выяснено, какие моды неустойчивы при минимальных токах для данных высот ( выше F-слоя), причем порог возникновения ионно-циклотронной неустойчивости оказался чувствителен к малым примесям других ионов. В частности, в ( О - Н1) - плазме неустойчивость с cj / / / ( 0) возникает при существенно меньшем пороге, даже если плазма водородная на 9Wo по количеству ионов. [15]
Страницы: 1