Зависимость - прямой ток
Cтраница 1
 |
Прямолинейная an - [ IMAGE ] Однополупериодный проксимация прямой ВАХ дио - прямой ток синусоидальной форда, мы через диод. [1] |
Зависимость прямого тока от прямого напряжения называется прямой ВАХ диода. Графически прямая ВАХ диода представлена на рис. 1.20. На практике обычно используется так называемая прямолинейная аппроксимация прямой ВАХ диода, изображенная на рис. 1.20 пунктирной линией. Напряжение 1) ( то) называют пороговым напряжением, а гт - дифференциальным прямым сопротивлением диода. Эта аппроксимация весьма удобна для расчета средней мощности прямых потерь в диоде. [2]
Когда и почему зависимость прямого тока р-п перехода от напряжения оказывается линейной. [3]
 |
Германиевые вентили типов. а - ДЗОО, б - ВГ-10, в - ВГ-50. [4] |
На рис. 7 приведены графики зависимости прямого тока и обратного напряжения от температуры окружающего воздуха. [5]
 |
Вольт-амперные характеристики туннельного диода ( а и тетрода с динатронным эффектом ( б, при которых возможна реализация отрицательного сопротивления. [6] |
На рис. 9.19, а показана вольт-амперная характеристика туннельного диода, представляющая зависимость прямого тока диода от положительного напряжения смещения. [7]
При непрямых переходах, связанных с рассеянием на примесях, зависимость (33.20) также сохраняется, что наглядно видно из кривой рис. 97, где показана зависимость прямого тока / макс от приведенной концентрации носителей п для серии германиевых диодов, в которых донором являлся As, а акцептором Ga. Что касается вероятности непрямого перехода с рассеянием на примесях, то, как показывают оценки, она может приближаться к вероятности прямых переходов. Действительно, значения тока / т, рассчитанные по (32.15), показанные на рис. 97 пунктиром, лежат лишь немногим выше экспериментальных точек. Однако па самом деле экспериментальные значения для прямого тока оказываются примерно на порядок больше рассчитанных по (32.15), так что непрямой ток, связанный с рассеянием на примесях, составляет около 1 / 10 прямого тока. [8]
Для тех же целей ( стабилизация напряжения) может быть использовано и то обстоятельство, что в полупроводниковых диодах ( особенно кремниевых, в том числе стабилитронах) зависимость прямого тока от напряжения на диоде, начиная с некоторых минимальных значений, очень резкая. [9]
Обычно переходные процессы исследуют в режимах генератора тока, генератора напряжения или в смешанном режиме. В режиме генератора тока полагается известной зависимость прямого тока от времени, а в режиме генератора напряжения - зависимость прямого напряжения на диоде от времени. В первом случае сопротивление источника намного больше сопротивления диода и ток через диод определяется самим источником. Во втором случае сопротивление источника намного меньше сопротивления диода и ток в цепи определяется диодом. В смешанном режиме сопротивления источника и диода соизмеримы. [10]
 |
Условное обозначение полупроводникового диода с электронно-дырочным переходом ( а и вольт-амперная характеристика. [11] |
В электрических схемах прибор с электронно-дырочным переходом ( рис. 3.7, а) обозначают как вентиль, направление стрелки которого соответствует направлению тока прямой проводимости. Вольт-амперная характеристика / / ( U) электронно-дырочного перехода ( рис. 3.7, б) имеет ярко выраженный нелинейный характер. При малых положительных ( прямых) напряжениях зависимость прямого тока от приложенного прямого напряжения нелинейна. Это объясняется тем, что перенос носителей зарядов через переход, электрическое поле которого ослаблено внешним полем, происходит путем диффузии основных носителей зарядов. Под действием внешнего поля основные носители зарядов дрейфуют по направлению к переходу, и их концентрация в зоне перехода резко возрастает. При дальнейшем увеличении напряженности внешнего поля направление электрического поля в области потенциального барьера изменяется на обратное. Напряженность внешнего электрического поля становится больше напряженности поля барьера, и через барьер в обоих направлениях начинается дрейф основных носителей зарядов. Крутизна прямой ветви характеристики заметно увеличивается. Необходимо отметить, что на рис. 3.7, б прямая и обратная ветви изображены в различных масштабах. [12]
 |
Полупроводниковый диод. а - структура. б - обозначение. в - ВАХ.| ВАХ диода, включенного в направлении.| Схема замещения диода при обратном включении. [13] |
Прямая ветвь ВАХ диода менее чувствительна к изменению температуры, так как термогенерационная составляющая не оказывает существенного влияния на прямой ток. Однако при изменении температуры прямая ветвь также смещается. Если поддерживать прямой ток / пр неизменным, то падение напряжения уменьшается с ростом температуры по линейному закону. Зависимость прямого тока германиевого диода от температуры может иметь более сложный характер, чем температурная зависимость обратного тока. При малых прямых токах, когда почти все внешнее напряжение приложено к р-п переходу, температурный коэффициент тока положителен. При больших прямых токах основную роль играет сопротивление кристалла диода. Увеличение его температуры за счет разогрева током вызывает уменьшение подвижности электронов и дырок. [14]
Сб ( или емкость перехода) диода относительно велика; у плоскостных диодов Д813 емкость достигает 500 пф. При увеличении обратного смещения электронны в области перехода все дальше отходят от дырок, ширина перехода возрастает, расстояние между пластинами эквивалентного конденсатора увеличивается и емкость перехода диода уменьшается. Одновременно на рис. 46 приведена вольтамперная характеристика кремниевого диода - зависимость прямого тока / Пр и обратного тока / 06Р от напряжения на диоде. [15]
Страницы: 1