Cтраница 2
![]() |
Конструкции фотоэлементов ( а, б, в, г и спектральные характеристики ( д. [16] |
Зависимость фототока от светового потока называется световой характеристикой. [17]
Зависимость фототока от величины светового потока / / ( Ф) называется световой характеристикой. Она может быть построена с помощью вольт-амперных характеристик. Световые характеристики фотоэлементов при фотогальваническом режиме линейны только при малых потоках ( фиг. Их нелинейность при больших световых потоках объясняется уменьшением сопротивлений р - n - перехода и Rm, которое сказывается тем сильнее, чем больше сопротивление нагрузки. [18]
Зависимость фототока гать Десятков и сотен ампер на электровакуумного фотоэлемента люмен. [19]
![]() |
Вольт-амперная ( а и световая ( б характеристики вакуумного фотоэлемента с внешним фотоэффектом.| Вольт-амперная ( а и световая ( б характеристики газонаполненного фотоэлемента. [20] |
Зависимость фототока от освещенности - световая характеристи-к а вакуумного фотоэлемента линейна ( рис. 11 - 49, б), что является следствием закона Столетова. Кроме того, при продолжительном освещении имеет место утомление фотоэлемента - уменьшение фотоэмиссии вследствие истощения запаса свободных электронов в поверхностных. [21]
![]() |
Распределение фотоэлектронов по энергиям. [22] |
Графически зависимость фототока от частоты света изображается в виде спектральных характеристик. По оси абсцисс откладывается длина волны или частота света, а по оси ординат-отношение фототока / ф к энергии падающего света ЕХ с данной длиной волны. ЕХ называется спектральной чувствительностью катода. [23]
![]() |
Фотоэлемент с внешним фотоэффектом. [24] |
Такая зависимость фототока от анодного напряжения обусловлена тем, что при малых значениях t / a не все эмиттированные катодом электроны достигают поверхности анода. С увеличением напряжения между анодом и фотокатодом доля электронов, преодолевших расстояние между электродами, возрастает и при некотором напряжении все эмиттированные катодом электроны достигают поверхности анода. Незначительный прирост фототока при еще большем увеличении i / a объясняется автоэлектронной эмиссией. [25]
Изучая зависимость фототока ( рис. 15.3), возникшего при облучении металла потоком монохроматического света, от разности потенциалов между электродами ( такая зависимость обычно называется вольт-амперной характеристикой фототока), установили, что: 1) фототок возникает не только при Уд - УК. [26]
Характер зависимости фототока от длины волны хорошо воспроизводился при повторных измерениях. [27]
![]() |
Фотоэлемент с внешним фотоэффектом. а - схема включения, 6 - характеристика. [28] |
Она выражает зависимость фототока от величины приложенного напряжения к зажимам фотоэлемента при неизменной величине светового потока, освещающего фотокатод. [29]
![]() |
Вольт-амперная характеристика фоторезистора. [30] |