Классический опыт - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Если бы у вас было все, где бы вы это держали? Законы Мерфи (еще...)

Классический опыт

Cтраница 4


Чтобы согласовать результаты этих двух классических опытов, Уленбек и Гаудсмит выдвинули гипотезу, согласно которой электрон наряду с орбитальным моментом должен обладать еще собственным механическим, а следовательно, и магнитным моментом. Следует сразу же подчеркнуть, что строгой классической теории спина не существует.  [46]

Можно также прибегнуть к результатам классических опытов Джоуля и проверить верность уравнения (11.11), определив AQ калориметрически и использовав соответствующий переводный множитель для пересчета из одних единиц в другие.  [47]

Как было показано еще в классических опытах Журкова [ 39, с. Большая же легкость появления и развития поверхностных дефектов обусловлена тем, что. Поэтому в неорганических стеклах полностью избавиться от примеси кристаллической фазы и, соответственно, повышающих хрупкость внутренних напряжений и плоскостей скола, образованных дислокациями, не удается. Следует считаться и с тем, что температура хрупкости неорганических стекол намного выше, чем у органических.  [48]

Примером ограниченности мышления животных может служить классический опыт И. П. Павлова, проделанный на шимпанзе.  [49]

50 Диаграмма рТ для изо-энтропического течения и течения при горении. [50]

Этот результат впервые был получен в классических опытах Джоуля и Томсона с пористой пробкой.  [51]

Для случая серебра и серы Вагнер провел классические опыты, в которых он обнаружил, что вес одного слоя Ag2S, соседнего с фазой серы, возрастает, а вес слоя Ag2S, соседнего с фазой серебра, не возрастает. Таким образом, скорость реакции определяется временем, необходимым для диффузии Ag, которое в свою очередь обратно пропорционально толщине пленки. Поскольку da / dt обратно пропорционально ос, интегрирование дает, что а2 пропорционально времени. По-видимому, диффузия через образующуюся пленку в общем случае возможна, так что параболический закон наблюдается чаще всего. Однако иногда диффузия происходит так медленно, что рост пленки оказывается самотормозящимся. Но и в этом случае возможно продолжение реакции за счет разрушения пленки, которая затем образуется снова, и переноса вещества через дислокации или поверхностные дефекты в пленке. Предполагают, что в этих более сложных случаях часто выполняется логарифмический закон.  [52]

Необходимо обратить самое серьезное внимание на продолжение классических опытов О. Г. Варбурга по спектрам инактивации ферментов, а также по фотохимической реактивации ферментов, отравленных ядами.  [53]

54 Зависимость скорости движения электронов в арсениде галлия от напряженности поля в образце.| Распределение электрического поля в образце в эффекте Ганна. [54]

Рассмотрим подробнее механизм этой неустойчивости на примере классического опыта Ганна. Если полупроводник однороден, то поле одинаково по всей длине. Однако в образце всегда может быть какая-то неоднородность с повышенным сопротивлением.  [55]

56 Зависимость скорости движения электронов в арсениде галлия от напряженности поля в образце.| Распределение электрического поля в образце в эффекте Ганна. [56]

Рассмотрим подробнее механизм этой неустойчивости на примере классического опыта Ганна. Если полупроводник однороден, то поле одинаково по всей длине. Однако в образце всегда может быть какая-то неоднородность с повышенным сопротивлением. Этой области соответствует повышенная напряженность поля. При равновесном состоянии случайные неоднородности компенсируются ( экранируются) свободными электронами. Когда поле увеличивается, свободные электроны, экранирующие область повышенного сопротивления, уносятся и размеры этой области начинают расти. Это означает накопление в этой области ( а не во всем кристалле) тяжелых электронов и снижение их подвижности, а значит и повышение сопротивления в этой области и возрастание напряженности. Распределение поля становится неоднородным. Образовавшаяся зона с высоким содержанием тяжелых электронов называется электрическим доменом. Под действием приложенного поля домен начинает перемещаться вдоль образца.  [57]

58 Зависимость скорости движения электронов в арсениде галлия от напряженности поля в образце.| Распределение электрического поля в образце в эффекте Ганна. [58]

Рассмотрим подробнее механизм этой неустойчивости на примере классического опыта Ганна. Если полупроводник однороден, то поле одинаково по всей длине. Однако в образце всегда может быть какая-то неоднородность с повышенным сопротивлением.  [59]



Страницы:      1    2    3    4