Зависимость - время - жизнь
Cтраница 3
Необходимо отметить, что рассмотреннзя темперзтурная зависимость времени жизни справедливз только для полупроводника с рекомбинационными ловушками одного сорта или типа. [31]
 |
Пояснение хода зависимости времени жизни от концентрации носителей. [32] |
На рис. 1.22 упрощенно показана зависимость времени жизни избыточных носителей от концентрации основных. Если уровень Ферми находится ближе к зоне проводимости, чем уровень ловушек ( область / на рис. 1.22 в), и полупроводник имеет электронную электропроводность, то все ловушки заполнены электронами и в зоне проводимости также имеется достаточное количество электронов. [33]
На рис. 3 - 17 показана зависимость времени жизни т от температуры раствора уранилсульфата в серной кислоте с добавкой в качестве гасителей бихромата калия и хризоидина. [35]
 |
Зависимость времени жизни от концентрации носителей при ударной рекомбинации для различных уровней инжекции. [36] |
Для технологии полупроводников чрезвычайно важно знать зависимость времени жизни от вида и концентрации примесей, вводимых в кристалл. Знание такой зависимости позволяет, во-первых, по измеренным на опыте временам жизни определять рекомби-национные характеристики примесных центров и, во-вторых, изготавливать полупроводниковые материалы с разными параметрами рекомбинации, что является одной из важнейших технологических задач. [37]
Ар показана вытекающая из уравнения (8.224) зависимость времени жизни носителей тока от их концентрации. [38]
 |
Переходы различной мультипольности при отличных от нуля спинах начального и конечного состояний. [39] |
Из (6.90) - (6.93) следует, что зависимость времени жизни от энергии тем резче, чем выше мультипольность, и что переходы высокой мультипольности сильно запрещены. Наиболее разрешенным является электрический дипольный переход. Следующими по разре-шенности являются электрический квадруполь и магнитный диполь. Мультипольность перехода определяется спинами и четностями начального и конечного уровней. Если спин одного из этих уровней равен нулю, то возможен переход лишь одной мультипольности. На рис. 6.23 приведен простейший пример. [40]
 |
Переходы различной мультипольности при отличных от нуля спинах начального и конечного состояний. [41] |
Из (6.90) - (6.93) следует, что зависимость времени жизни от энергии тем резче, чем выше мультипольность, и что переходы высокой мультипольности сильно запрещены. Наиболее разрешенным является электрический дипольный переход. Следующими по разрешенное являются электрический квадруполь и магнитный диполь. Мультипольность перехода определяется спинами и четностями начального и конечного уровней. Если спин одного из этих уровней равен нулю, то возможен переход лишь одной мультипольности. На рис. 6.23 приведен простейший пример. [42]
 |
Зависимость времени разрушения изоляции от температуры нагрева. [43] |
На графиках рис. 7 - 2 приведена зависимость времени жизни изоляции классов А и В от температуры перегрева. [44]
Излучательный и безызлучательный механизмы переноса различают по зависимости времени жизни флуоресценции донора от концентрации акцептора. При из-лучательном переносе время жизни флуоресценции донора не изменяется или слегка возрастает, при безыз-лучательном переносе - уменьшается. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5