Усредненная зависимость

Cтраница 2

Изменение формантных областей при речи. [16]

В спектре Фурье на эту усредненную зависимость накладываются очень небольшие колебания, ширина которых примерно равна обратной величине длительности импульсов, которыми образован спектр. [17]

Усредненная зависимость прироста удельных потерь и намагничивающего тока для электротехнической стали марок Э320 и ЭЗЗО от угла между направлением закатки заусенцев и направлением прокатки в стали. [18]

На рис. 3 - 8 показана усредненная зависимость прироста удельных потерь ( А / 3) и намагничивающего тока ( Д /) от направления закатки заусенцев для стали марок Э320 и ЭЗЗО ( не прошедшей повторного отжига) без электроизоляционного покрытия. [19]

Зависимость пластической вязкости. [20]

Линиями 5 на этих графиках показаны усредненные зависимости тц / ( Y) и т0 / ( 7) рекомендуемые для определения этих величин при гидравлических расчетах. [21]

Усредненные зависимости давления расширения от времени твердения растворов из РТЦ МИНХ и ГП при различных ВЦ. [22]

На рис. 56 сплошными линиями обозначены усредненные зависимости давления расширения pi от времени t для исследованных растворов, причем за начало отсчета времени t выбран момент, с которого начинает наблюдаться рост давления образцов на заложенный в раствор датчик. [23]

Поэтому она представляется обычно в виде некоторой усредненной зависимости, как это показано на рис. 15.2 сплошной кривой. [24]

В качестве примера на рис. 4.13 6 приведена усредненная зависимость Vm - f ( Xv) при установке ручки Ксв в положение 2 5 для блоков РБИЗ. [25]

Пример распределения ТЭЗ процессора быстродействующей ЭВМ по числу ИС ( а и по числу внешних связей ( б.| Зависимость числа внешних связей ТЭЗ от числа ИС.| Зависимость числа связей панели от числа ИС. [26]

Графики ( рис. 3.9 - 3.12) иллюстрируют усредненную зависимость между числом внешних связей и числом ИС в функциональном узле. Наличие таких зависимостей позволяет уточнить функционально-емкостные характеристики ТЭЗ. [27]

Для вычисления результатов строят график вероятности, выражающий усредненную зависимость относительного числа разрушенных образцов от температуры испытаний. [28]

Для вычисления результатов строят график вероятности, выражающий усредненную зависимость относительного числа разрушенных образцов, от температуры испытаний. [29]

Приводимые в справочниках статические характеристики транзистора представляют собой графики экспериментально полученных усредненных зависимостей между токами, протекающими в цепях электродов транзистора, и напряжениями, приложенными к электродам. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5