Cтраница 3
В частности, емкость Сп в эквивалентной схеме отражает периферийную емкость коллекторного перехода. Основной транзисторный эффект - переход носителей через 6asy - отражается в эквивалентной схеме зависимым источником тока at э ( а - коэфф. Частотная зависимость модуля и фазы a для транзисторов каждого типа обычно задается графич. [31]
Однако разные способы обработки результатов помогают выделить те пли иные особенности исследуемой цени. Для более сложных цепей целесообразно обрабатьнзать результаты измерений, применяя одновременно различные способы, чтобы извлечь из эксперимента максимум информации. Так, частотная зависимость импеданса лучше выявляет участки цепи с наибольшими омическими сопротивлениями. В поликристаллическнх материалах, имеющих относительно большее сопротивление границ зерен п малое объемное сопротивление кристаллитов, при исследовании импеданса проявляются в первую очередь именно эти ме / к-кристаллитные сопротивления, а объемные сопротивления могут быть на их фоне замаскированы. Напротив частотная зависимость комплексного электрического модуля позволяет выявить элементы с минимальной емкостью. [32]
Для всех реально существующих цепей R / GLIC, поэтому модуль волнового сопротивления с увеличением частоты уменьшается, стремясь к величине у / L / C. Угол срв изменяется от нулевого значения при со 0 до нулевого значения при й-ос. Можно показать, что угол фв на всех частотах является отрицательным. На рис. 11.4 показаны графики частотных зависимостей модуля и угла волнового сопротивления однородной линии. [33]
Для всех реально существующих цепей R / GL / C, поэтому модуль волнового сопротииления с увеличением частоты уменьшается, стремясь к величине / - L / C. Угол фв изменяется от нулевого значения при ю - 0 до нулевого значения при ю-юо. Можно показать, что угол фв на всех частотах является отрицательным. На рис. 11 4 показаны графики частотных зависимостей модуля и угла волнового сопротивления однородной линии. [34]