Частотная зависимость - диэлектрическая проницаемость
Cтраница 1
 |
Частотные зависимости tg б (. [1] |
Частотные зависимости диэлектрической проницаемости и тангенса угла потерь исследованных углей графически изображены на рис. II 1.9. Необходимо отметить наличие максимумов в частотном ходе tg б, что свидетельствует о дипольном характере диэлектрических потерь. [2]
Частотная зависимость диэлектрической проницаемости кабельной бумаги после ее вакуумной сушки и последующих различных выдержках на воздухе с относительной влажностью 75 % аналогична установленной для картона. [3]
При изучении частотной зависимости диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь при различных температурах [125] было установлено, что для поливинилфторида эти величины в 1О раз больше, чем для его аналогов - поливинилхлорида и поливинилфторида. [4]
 |
Температурная зависимость удельного fv.| Зависимость усталостной прочности поливинилфторида от времени выдерж - 1 - Ю5. [5] |
На рис. 4.37 приведена частотная зависимость диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь. На рис. 4.38 и 4.39 представлены температурные зависимости диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь и удельного объемного электрического сопротивления. Зависимость тангенса угла диэлектрических потерь, определенного при 105 Гц и 80 С, имеет четко выраженный минимум. [6]
 |
Частотная зависимость диэлектрической проницаемости. [7] |
На рис. 20.7 показана частотная зависимость диэлектрической проницаемости, в которой также выделяются области о: -, ( 3 - и 7 - Дисперсии. [8]
Конечно, сведения о частотной зависимости диэлектрической проницаемости, нужные для макроскопической теории, являются далеко не полными. [9]
Процесс перестройки в сетке водородных связей сольватной структуры определяет частотную зависимость диэлектрической проницаемости в области дисперсии ориентационной поляризации. Если две группы туннельных протонов окружены сольват-ными молекулами так, как это показано на рис. 95, то в первом приближении диэлектрическая проницаемость в выражении ( 26) может быть заменена диэлектрической проницаемостью чистого растворителя; поскольку сила водородных связей в гид-ратной сетке вокруг группы HgOt приблизительно такая же, как и в чистой воде, частоты перестроек также близки ( разд. [10]
А - постоянная Планка, e ( t) - частотные зависимости диэлектрической проницаемости на мнимой оси частот. [11]
 |
Частотная зависимость фактора потерь е. [12] |
К сожалению, теория Ханаи не может рассматривать данные рис. V.34, потому что частотная зависимость диэлектрической проницаемости в ней освещена недостаточно. [13]
 |
Частотная зависимость фактора потерь е. [14] |
К сожалению, теория Ханаи не может рассматривать данные рис. V.34, потому что частотная зависимость диэлектрической проницаемости в ней освещена недостаточно. [15]
Страницы: 1 2 3