Ориентационная зависимость - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Если женщина говорит “нет” – значит, она просто хочет поговорить! Законы Мерфи (еще...)

Ориентационная зависимость

Cтраница 4


46 Сопоставление шага усталостных бороздок 6 и скорости роста усталостной трещины da / dN no длине трещины в плоских крестообразных образцах толщиной 2 мм из сплава АК4 - 1 в случае ( а различий между кинетическими кривыми при разных параметрах цикла нагружения и б в случае эквивалентности этих кривых для другого сочетания параметров цикла. [46]

Применительно к алюминиевым сплавам в интервале толщины пластины 2 мм t 5 мм имеет место переход в условиях развития процесса разрушения, когда ориентационная зависимость роста трещины от соотношения главных напряжений исчезает.  [47]

Следует лишь отметить, что исследовать квадрупольные расщепления в порошкообразных веществах весьма трудно, поскольку интенсивность квадрупольных сателлитов невелика и их ширина помимо ориентационной зависимости определяется также и совершенством исследуемых кристаллов. Эксперименты на монокристаллах дают существенно большую точность, однако этот путь менее распространен из-за трудности получения больших монокристаллов. В ряде случаев в твердом теле сигналы ЯМР имеют очень длинные времена спин-решеточной релаксации. Тогда для наблюдения сателлитов, обусловленных квадрупольным взаимодействием, необходимо либо применять очень малый уровень мощности ( что приводит к уменьшению сигнала), либо искусственно укорачивать время спин-решеточной релаксации путем радиационного облучения.  [48]

Анизотропия распределения легирующих примесей в различно ориентированных пленках GaAs при эпитаксиальном росте аналогична анизотропии сегрегации примесей в кристаллах, выросших из расплава, и может быть качественно объяснена в рамках теории Холла [162] ориентационной зависимостью адсорбции примесей на разных поверхностях кристалла.  [49]

Как и в предыдущем примере, имеется небольшой фон, вызванный наложением второго спектра. Ориентационная зависимость сверхтонкой структуры углеводородных радикалов создает благоприятную возможность для изучения ориентации радикалов цепей в образце.  [50]

Аналогичная зависимость СРТУ от ориентировки образца наблюдается и при комнатной температуре, что видно при сравнении результатов, приведенных на рис. 5 для образцов ориентировки ПД, с данными рис. 6, полученными на образцах ориентировки ПВ. Ориентационная зависимость СРТУ для основного металла выражена в меньшей степени, чем у сварных соединений на образцах из зоны термического влияния. Таким образом, причиной такого поведения трещины в зоне термического влияния, по-видимому, являются остаточные напряжения, возникающие при сварке.  [51]

По-видимому, подвижность границ зерен в разных точках даже при одной и той же разориентации ( между разделяемыми границей зернами) весьма неодинакова и к тому же может флуктуировать. Описание ориентационной зависимости скорости миграции при помощи макроскопических параметров является, следовательно, весьма приближенным и неполным.  [52]

53 Диаграммы интенсивности рассеяния рентгеновских лучей циклогексаном и иоли-винилциклогексаном ( фильтрованное Си-излучение, гониометр с пропорциональным счетчиком. [53]

В то время как анализ кристаллической структуры полимеров дает однозначные результаты, возможности исследования аморфной структуры с помощью рентгеновских лучей весьма ограничены. Некоторые сведения дает ориентационная зависимость интерференционной картины при растяжении аморфных полимеров [24], так как цепи всегда располагаются в направлении растяжения и экваториальное распределение интенсивности рентгенограммы позволяет судить о межмолекулярной интерференции.  [54]

Принципиальное отличие в характере проявления фотоиндуци-рованного пьезоэффекта и электрооптического эффекта в ПВМС ПРИЗ заключается в том, что величина смещения данной точки поверхности в общем случае зависит от значения поля механических деформаций во всем объеме кристалла и от условий на его границах. Поэтому, например, ориентационные зависимости г ( К) в таких случаях существенно различаются, несмотря на идентичность тензоров пьезоэлектрического и электрооптического эффектов. Дальнейшие исследования показали [8.66], что при интенсивных засветках модулятора записывающим светом наблюдаются дополнительные деформации поверхности кристалла, вызванные разогревом кристалла фототоком. В этом случае деформации связаны с неоднородным тепловым расширением кристалла. Эффективность дифракции на формируемой таким образом фазовой решетке в кристалле BSO может достигать нескольких процентов.  [55]

В связи с этим молекулы, характеризующиеся постоянными электрическими моментами, представляются обычно как сферически симметричные тела, содержащие точечные мультиполи. Другими словами, в случае ориентационной зависимости дальнодействующей компоненты потенциальной энергии взаимодействующих молекул зависимостью от ориентации членов, характеризующих взаимодействие на малых и промежуточных расстояниях, пренебрегают. Зависимость короткодействующих сил от ориентации учитывается обычно лишь при взаимодействии неполярных молекул. Имеется всего несколько работ, в которых вопрос об ориентационной зависимости рассмотрен в общем случае для дальнодействующих и короткодействующих сил. Это частично объясняется встречающимися математическими трудностями, а также слишком большим числом варьируемых параметров, появляющихся при рассмотрении задачи в общем случае.  [56]

Совершенство структуры InAs оценивалось металлографически по микроморфологии поверхности свежевыращенных слоев. Фотографии, приведенные на рисунке, отображают ориентационную зависимость микроморфологии. При росте слоев на ( 110) и ( 111) А плоскостях арсенида индия во всем интервале рабочих температур и давлений паров воды образовывались хорошо ограненные пирамиды роста ( фасетки) высотой 10 - 20 мк.  [57]

58 Зависимость величины микродеформации. от времени наводороживания t. [58]

Согласно (2.67), (2.71), такие соотношения выполняются, если 17 ( 311) - ( 7 ( 100) 128 К, 17 ( 110) - 7 ( 100) fH 758 К. С другой стороны, это означает, что ориентационная зависимость параметра f ( hkl) не должна подавляться значительным повышением плотности тока.  [59]



Страницы:      1    2    3    4