Cтраница 1
Слабая зависимость потерь преобразования от х для смесителя на волноводе низкого сечения свидетельствует о его широко-полосности. [2]
Слабая зависимость h2 ai от тока эмиттера облегчает расчет схем, в которых используются инверсно включенные транзисторы. [3]
Слабая зависимость Та от Я объясняет существование нижней границы для кинетической энергии а-частиц. Изменение Тх всего на 10 % меняет постоянную а-распада примерно в 1000 раз. Для Та 2 Мэв период полураспада становится настолько большим, что обнаружить а-активность практически невозможно. [4]
Слабая зависимость у от температуры может служить указанием на то, что реальный фононный спектр дисилицида кобальта не слишком отличается от дебаевского и использованный метод расчета 6В ( О К) пригоден для данного соединения. [5]
Слабая зависимость tjn от e / kT указывает также на то, что (14.11) может служить удовлетворительной оценкой и в случае диссоциации в среде без обмена колебательными квантами. [6]
Слабая зависимость / а от Ua объясняется очень слабым проникновением поля анода через три сетки в область пространственного заряда у катода. Плавный переход в пологий участок обусловлен неравномерностью распределения потенциала между витками третьей сетки. [7]
Слабая зависимость множителей 0 332 в ( 1) и 0 664 в ( 2) от числа Рг не учитывается. [8]
Слабая зависимость эффективности от N в НСМ обусловлена наличием локального поиска. [9]
Слабая зависимость FH от концентрации в тэта-растворителе означает, что влияние концентрации раствора на ход хроматогра-фического процесса не ограничивается эффектом, рассмотренным выше. Следует учитывать, что растворы полидисперсных полимеров являются многокомпонентными, поэтому между фазами в колонке даже в равновесных условиях существует разность осмотических давлений, зависящая от концентрации каждого компонента. В результате происходит перераспределение макромолекул. При этом внутри перового пространства сорбента концентрация низкомолекулярных компонентов оказывается более высокой, чем это вытекает из соотношения их размеров и размеров пор в соответствии с молекулярно-ситовым эффектом. [11]
Слабая зависимость распределения ри2 от отношения плотностей в струе и окружающем пространстве делает предпочтительным выбор плотности потока импульса в качестве опорной характеристики. В этом случае эмпирическая постоянная с, замыкающая систему расчета по методу эквивалентной задачи теории теплопроводности, весьма слабо зависит от со. [12]
Слабая зависимость B ( t / K6) и практическое отсутствие влияния t / K6 на / а ( при малых коллекторных нагрузках) позволяет сделать предположение, что ширина базы при работе транзистора в микроамперном диапазоне токов почти не оказывает влияния на его усилительные и частотные свойства. [13]
Слабая зависимость скорости обмена от свойств заместителя, проявляющаяся в небольшой величине наклона прямой Бренстедовского графика, показывает, что процесс обмена близок к синхронному. [14]
![]() |
Содержание гель-фракции в облученных образцах полиэтилена. [15] |