Сильная зависимость

Cтраница 4

Сильная зависимость концентрации радикалов НО от состоя - ния поверхности реактора, была использована нами для определения энергии активации гибели радикалов Н02 на различных поверхностях. [46]

Сильная зависимость концентрации носителей заряда в полупроводниках от температуры показывает, что в этом случае электроны проводимости возникают под действием теплового движения. В полупроводниках атомное взаимодействие само по себе еще недостаточно для отщепления электронов от атомов и превращения их в электроны проводимости. Для этого даже наиболее слабо связанным электронам нужно сообщить некоторую добавочную энергию, которая и заимствуется из энергии теплового движения. [47]

Зависимость / г-параметров. [48]

Сильная зависимость выходных характеристик транзистора от температуры является их существенным недостатком. Для уменьшения влияния температуры на режим работы транзисторов применяют схемы термостабилизации и термокомпенсации. [49]

Сильная зависимость внутренней обратной связи от частоты приводит к неустойчивой работе и самовозбуждению усилительных каскадов. Поэтому приходится снижать усиление на каскад. Разброс параметров транзисторов создает серьезные затруднения при серийном производстве радиоприемников. [50]

Сильная зависимость входной проводимости составного транзистора от частоты приводит к значительному уменьшению входного сопротивления схемы уже на частотах порядка единиц килогерц. Кроме того, большое влияние на входное сопротивление составного транзистора оказывает цепь базового смещения. Поэтому необходимо, чтобы приведенное сопротивление делителя, задающего смещение на базу и шунтирующего вход составного транзистора, было возможно большим. Однако это требование противоречит условию повышения температурной стабильности режима работы транзистора, которое является прямо противоположным. [51]

Зависимость среднего статистического времени запаздывания от отношения приложенного напряжения U к начальному разрядному, напряжению Uo - Условия освещения и форма электродов одни и те же для всех кривых.| Зависимость среднего статистического времени запаздывания от отношения приложенного напряжения U к начальному. [52]

Сильная зависимость среднего статистического времени запаздывания от интенсивности освещения поверхности катода коротковолновым излучением является наглядным подтверждением связи статистического запаздывания с ожиданием первого эффективного электрона. В качестве примера можно привести опыты ЛПИ, в которых катодом служил шар диаметром 62 5 мм, а анодом сетка, через которую пропускалось излучение ртутно-кварцевой лампы, освещающее катод. [53]

Сильная зависимость электрического сопротивления ряда полупроводников от освещения используется в фотосопротивлениях - чувствительных световых индикаторах, реагирующих на изменение лучистого потока. [54]

Логарифм стандартной константы скорости восстановления натрия иа ртутном катоде как функция свободной энергии сольватапии иоиа Na.| Логарифм стандартной константы скорости Ks и кажущийся коэффициент переноса а в процессе электровосстановле-иия Na на различных амальгамных электродах в ДМФ как функция сдвига потенциала полуволны. [55]

Сильная зависимость электрохимического поведения ионов щелочных металлов от размера катиона фона объясняется влиянием катионов фона на свойства двойного слоя. Что же касается природы растворителя, то с повышением его основности потенциалы восстановления ионов EI / Z сдвигаются в отрицательную сторону. Стандартная константа скорости восстановления на ртутном электроде при этом уменьшается. [56]

Сильная зависимость электрохимического поведения ионов щелочных металлов от размера катиона фона объясняется влиянием катионов фона на свойства двойного слоя. Что же касается природы растворителя, то с повышением его основности потенциалы восстановления ионов Ei / 2 сдвигаются в отрицательную сторону. Стандартная константа скорости восстановления на ртутном электроде при этом уменьшается. [58]

Сильная зависимость прочностных свойств полимерной матрицы ПКМ и материала клеевых слоев от продолжительности, температуры, действия факторов окружающей среды и напряженного состояния делает очень важным знание условий эксплуатации клеевых соединений ПКМ. Упомянутые выше факторы в сочетании друг с другом могут привести к неизвестным или трудно прогнозируемым ( просчитываемым) последствиям изменений свойств ПКМ и клеевого слоя. Они во многих случаях могут привести и приводят к негативным эффектам. Поэтому выбор материалов и процесса должны быть полностью обоснованы экспозицией образцов соединений или прототипов в предполагаемых условиях эксплуатации. [59]

Сильной зависимости соотношения метаболитов при выведении от способа введения для ВВВ, курения и интраназального введения ( ИН) не установлено. При ВВВ 100 мг кокаина-гидрохлорида в первые 6 ч выводится 14 5 - 45 % дозы, из которой 1 - 21 % составляет неизмененный кокаин. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5