Сильная зависимость - напряжение
Cтраница 1
Сильная зависимость напряжения на нагрузке от нагрузки является недостатком инверторов тока. [1]
Данные табл. 10 свидетельствуют о сильной зависимости напряжения мышьяка от температуры и скорости деформации. [3]
Из данных табл. 11 следует, что, как и у мышьяка, у селена наблюдается сильная зависимость напряжения от температуры и скорости деформации, хотя показатели п и В у селена все же заметно меньше, чем у мышьяка. [4]
 |
Зависимость ( 6 для А1 при Е 0 2. [5] |
Значения показателей л, по данным разных авторов, достаточно хорошо совпадают ( табл. 3) и в общем свидетельствуют о сравнительно сильной зависимости напряжения от скорости деформации. Более низкие значения л, по данным Бейли [83], можно объяснить тем, что автор не разделяет график о ( к) на две ветви. [6]
 |
Зависимость коэффициентов ионизации электронов и дырок от напряженности поля в кремнии при комнатной температуре. [7] |
Очень резкая зависимость коэффициента лавинного умножения ( рис. 7.2) от приложенного напряжения существенно осложняет возможность практического использования ЛФД с высокими коэффициентами усиления из-за весьма жестких требований к точности поддержания на диоде рабочего напряжения. Сильная зависимость напряжения лавинного пробоя от температуры приводит к проблеме термостабилизации. Все эти факторы ограничивают применение лавинных диодов в аппаратуре. [8]
Следовательно, пробивное напряжение при тепловом пробое диода определяется его обратным током, температурным коэффициентом обратного тока и тепловым сопротивлением. Особое внимание следует обратить на сильную зависимость напряжения теплового пробоя от температуры окружающей среды. Пробивное напряжение уменьшается, во-первых, в связи с увеличением выделяющейся мощности при тех же обратных напряжениях и, во-вторых, из-за ухудшения теплоотвода от р-и-перехода. [9]
Следовательно, пробивное напряжение при тепловом пробое диода определяется его обратным током, температурным коэффициентом обратного тока и тепловым сопротивлением. Особое внимание следует обратить на сильную зависимость напряжения теплового пробоя от температуры окружающей среды. Пробивное напряжение уменьшается, во-первых, в связи с увеличением выделяющейся мощности при тех же обратных напряжениях и, во-вторых, из-за ухудшения теплоотвода от р-п-перехода. [10]
Следовательно, напряжение теплового пробоя полупроводникового диода определяется его обратным током, температурным коэффициентом обратного тока и тепловым сопротивлением. Особое внимание следует обратить на сильную зависимость напряжения теплового пробоя от температуры окружающей среды. [11]
Следовательно, пробивное напряжение при тепловом пробое диода определяется его обратным током, температурным коэффициентом обратного тока и тепловым сопротивлением. Особое внимание следует обратить на сильную зависимость напряжения теплового пробоя от температуры окружающей среды. Пробивное напряжение уменьшается, во-первых, в связи с увеличением выделяющейся мощности при тех же обратных напряжениях и, во-вторых, из-за ухудшения теплоотвода от р-п-перехода. [12]
Там же приведены результаты теоретического решения для двух значений коэффициента Пуассона. Величина и направление главных напряжений меняются в срезе таким образом, что среднее касательное напряжение оказывается меньше, чем в центральной плоскости. На этом же графике иллюстрируется еще одно обстоятельство, о котором некоторые специалисты по поляризационно-оптическому методу часто забывают, а именно возможность сильной зависимости напряжений в пространственных задачах от упругих констант. [13]
Страницы: 1