Cтраница 4
Выходные характеристики для схемы с общим эмиттером ( рис. 5.10, а) имеют еще более сильную зависимость от напряжения на коллекторе. Это связано прежде всего с тем, что постоянным значениям тока базы ( параметра в данном семействе характеристик) соответствуют разные значения тока эмиттера ( рис. 5 10, б), причем тем большие, чем больше напряжение на коллекторе. Умножение в коллекторном переходе сказывается здесь также значительно сильнее, так как образовавшиеся при умножении носители, являющиеся основными для области базы ( электроны в триоде р-п - р), проникая в нее, понижают потенциальный барьер эмиттера и вызывают увеличение его тока при постоянном значении тока базы. [46]
![]() |
Зависимость св. от А. [47] |
Из рис. 5.6 видно, что при целых вначвниях ионной силы раствора коэффициент переноса имеет более сильную зависимость. На практике в технологических растворах ионная сила изменяется, как правило, в узких диапазонах. [48]
Но попытка описать с помощью этой теории результаты опытов при постоянной скорости деформации приводит к значительно более сильной зависимости от времени по сравнению с наблюдаемой на опыте. Теоретическое выражение позволяет описать экспериментальные результаты только в пределах двух декад приведенного времени в области больших времен. Возможно, что эти затруднения связаны с математическими приближениями, сделанными при выводе расчетной формулы. Несмотря на неудовлетворительное согласие с опытами при постоянной скорости деформации, теория дает прямое доказательство приложимости принципа тем-пературно-временной суперпозиции к прочностным свойствам. [49]
![]() |
Температурные зависимости параметров транзистора. [50] |
При этом ввиду слабой зависимости от температуры коэффициента а, которую графически трудно отобразить, показана гораздо более сильная зависимость от температуры коэффициента Р: положительная обратная связь в схеме с ОЭ резко повышает температурные изменения коэффициента усиления тока. [51]
Как видно из представленных экспериментальных данных, для разветвленных ПВА по сравнению с соответствующими линейными образцами характерна более сильная зависимость динамической вязкости и менее отчетливая зависимость модуля упругости от частоты. Кроме того, вязкость и жесткость при низких частотах значительно выше у разветвленных образцов, чем у фракций линейных полимеров. [52]
Гипотеза об уровнях прочности стекловолокон объясняет и слабое влияние на их прочность химического состава, которое нивелируется более сильной зависимостью прочности от дефектности волокна. У волокон, не имеющих объемных дефектов, влияние химического состава становится весьма ощутимым. [53]
При дальнейшем возрастании поля и высота скачков, и граница зоны ионизации прижимаются ближе к поверхности; при этом первая подвержена более сильной зависимости ( пропорционально [ / F2 по сравнению с / F), вследствие чего в таких местах уменьшается доля тех скачущих атомов, которые ионизируются. На данной стадии эффективными для ионизации могут стать другие площади, имеющие больший радиус кривизны, которые и будут присоединяться к источнику захваченных атомов гелия. Это обязательно повлияет на ход ионизации и в прочих местах вследствие понижения концентрации атомов на поверхности. [54]
В жидкофазных процессах высокое давление оказывает дополнительное влияние, повышая растворимость водорода в реакционной массе; возможна линейная, квадратичная и даже более сильная зависимость скорости реакции от давления. Так, при гидрировании этиллаурата в лауриловый спирт на медь-хромоксидном контакте скорость с повышением давления от 10 до 20 МПа возрастает в 7 раз, а с увеличением до 30 МПа - в 28 раз. [55]
![]() |
Значение производной массовой скорости горения по давлению ( du / dp. [56] |
Те из инициирующих ВВ, которые в прессованном до большой относительной плотности состоянии способны к устойчивому горению, характеризуются при низких давлениях более сильной зависимостью скорости горения от давления, чем вторичные ВВ; значение duM / dp для них приближается к предельному. [57]
![]() |
ЛБВ с поперечным током. [58] |
Если проходимое электронами расстояние меньше некоторого критического значения, то усиление не превосходит усиления эквивалентной параллельной лампы и к тому же находится в более сильной зависимости от тока и частоты. [59]
Сопоставление спектров никель-цинковых ферритов ( рис., г, ж) со спектрами магниевого феррита ( рис., а - д) показывает более сильную зависимость формы мессбауэровского спектра от этапа спекания феррита для никель-цинковых ферритов. [60]