Температурная зависимость - коэффициент
Cтраница 1
Температурная зависимость коэффициента внутреннего трешш для стекловидного углерода такая же, как у обычного стекла, в то время как коэффициент внутреннего трения многих сортов графита не зависит от температуры. [1]
Температурная зависимость коэффициента кристаллизации определяется тепловыми эффектами различных процессов. [2]
Температурная зависимость коэффициента самодиффузии хорошо выражается следующим уравнением: D - Ae-ElRT. Приводится значение А, которое вместе с Е лучше всего отвечает значениям, полученным в интервале температур, отмеченном фигурными скобками. [3]
Температурная зависимость коэффициента массопередачи вполне удовлетворительно описывается уравнением энергии активации, и для разных веществ различна, что лишний раз подтверждает правильность вышеизложенных соображений. [4]
Температурные зависимости коэффициентов S и В оы примерно одинаковы; последняя для большинства типов транзисторов приводится в справочниках. [5]
Температурная зависимость коэффициента пг для аморфного и кристаллического полимеров представлена на рис. 5.27. На основании этих данных можно сделать следующие выводы: вязкость аморфного полимера монотонно растет с уменьшением температуры, обращаясь в бесконечность в области Tg; вязкость кристаллического полимера, будучи менее чувствительной к температуре, в области Т претерпевает скачок, обращаясь Б бесконечность. [6]
Температурная зависимость коэффициента редукции при атмосферном давлении ( кривая 1 на рис. 5.13) отвечает как стеклообразному, так и высокоэластическому состояниям. [8]
 |
Зависимость коэффициента передачи тока транзисторной оптопары от температуры.| Транзисторная оптопара в ключевом режиме эксплуатации. [9] |
Температурная зависимость коэффициента передачи по току иллюстрируется рис. 5.68. При больших входных токах ( кривая 2) эта зависимость такая же, как и у диодной оптопары, при малых ( кривая /) существенно отличается. Характер рассмотренных зависимостей объясняется видом зависимости излучательной способности излучателя и коэффициента передачи фототранзистора от температуры и тока. [10]
Температурная зависимость коэффициентов распределения элементов определяется изменением с температурой константы экстракции Кех, констант устойчивости комплексов и коэффициентов активности всех веществ, участвующих в реакции экстракции. [11]
Температурная зависимость коэффициента приведения ат рассчитанная по уравнению ВЛФ. Точками показаны экспериментальные данные Лидермана [47] для полиизобутилена. [12]
Температурная зависимость коэффициента линейного расширения ( рис. 25) имеет две точки перегиба, разделяющие ее на три области. В интервале от - 12 до 30 С проявляется область а-перехода. [13]
Температурная зависимость коэффициента передачи тока объясняется главным образом уменьшением тока 1эР иижекции дырок из базы в эмиттер. При повышении температуры происходит увеличение времени жизни дырок в эмиттере и уменьшение множителя ехр [ 6.3 / ( &7) ], учитывающего различие ширины запрещенной зоны в эмиттере и базе. [14]
 |
Цепи смещения усилителя на биполярном транзисторе. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5