Cтраница 3
При низких температурах коэффициент Холла более чувствителен к температуре осаждения и термообработки, чем при комнатной температуре. Из этого следует, что температурная зависимость коэффициента Холла служит самым чувствительным способом изучения совершенства кристаллов ( не предпочтительной ориентации. В связи с этим интересно сравнить показания рис. 14 с некоторыми замечаниями относительно данных по низкотемпературному сопротивлению ( раздел VA), особенно если учесть, что температурная зависимость поликристаллических графитов, по-видимому, обусловлена изменением концентрации носителей. [31]
Первая вводится для удобства оценки эффективной массы носителей в реальных полупроводниках при замене изоэнергетических поверхностей, в частности для долин в зоне проводимости, усредненной сферической поверхностью. Обычно ее находят из кинетических эффектов, например при измерении температурной зависимости коэффициента Холла или электропроводности. [32]
В последнем столбце табл. 17 приведены значения энергии, характеризующие края полосы поглощения при 0 К, полученные линейной экстраполяцией значений, соответствующих 300 и 77 К. В скобках указаны значения ширины запрещенной зоны, полученные экстраполяцией к 0 К результатов измерения температурной зависимости коэффициента Холла ( гл. [33]
Энергия активации неупорядоченного 1п Те3 при низких температурах равна 0 95 эв, а при высоких 1 6 эв для обеих форм. По данным температурной зависимости коэффициента Холла, ширина запрещенной зоны совпадает со значениями, полученными на основании измерений электропроводности. Були и Пэмплин 1123 ] нашли, что при температуре выше 550 С энергия активации образцов 1п Те3 составляет 2 2 - 2 3 эв, что близко величине, найденной Аппелем [ 131.1. Образцы 1н2Те3 были и-типа, концентрация электронов при 250 С 10lg - 1015 см-3, подвижность при этой температуре 340 см2 / в-сек. [34]
Энергия активации неупорядоченного 1п2Те3 при низких температурах равна 0 95 эв, а при высоких 1 6 эв для обеих форм. По данным температурной зависимости коэффициента Холла, ширина запрещенной зоны совпадает со значениями, полученными на основании измерений электропроводности. [35]
![]() |
Зависимость подвижности носителей заряда при 300 К от их концентрации для различных соединений ЛШВХ. [36] |
Вследствие большого отношения подвижностей носителей заряда, в области собственной электропроводности удельное сопротивление и коэффициент Холла определяются почти полностью электронами. В InSb вклад дырок в значение собственной проводимости не превышает нескольких процентов. Сильное различие подвижностей электронов и дырок приводит к пересечению кривых. При оценке ширины запрещенной зоны по температурным зависимостям коэффициента Холла для р-образцов получаются сильно завышенные результаты. [37]
![]() |
Энергия в функции k. [38] |
Оптические переходы подчиняются определенным правилам избирательности; одно из них требует соблюдения закона сохранения количества движения. Иными словами, на диаграмме, представляющей зависимость энергии от волнового вектора, допускаются перемещения ( переходы) лищь в вертикальном направлении. Минимальное расстояние по вертикали между зонами проводимости и валентных уровней может быть больше, чем разность энергий между максимумом валентной зоны и минимумом зоны проводимости. Поэтому можно ожидать, что оптический промежуток Wopt, найденный по результатам измерений поглощения, окажется больше термического промежутка Wf. Последний не требует соблюдения закона сохранения количества движения и определяется по данным измерений электропроводности и температурной зависимости коэффициента Холла. [39]