Температурная зависимость - подвижность - носитель
Cтраница 1
Температурная зависимость подвижности носителей Б большей части изученных нами тройных соединений близка к закону Т 3 2, а примесная проводимость сохраняется до температур, близких к точкам начала плавления соединений. [1]
Характер температурной зависимости подвижности носителей ( см. следующий абзац) и наблюдение частотной зависимости фотопроводимости переменного тока [139] дают дополнительные доказательства, подтверждающие модель перескока носителей тока в комплексах с переносом заряда. В то время как зонная проводимость представляет собой процесс, не зависящий от частоты, перескок носителей между локализованными состояниями приводит к частотной зависимости фотопроводимости переменного тока. Это явление наблюдается для комплекса поли ( М - винилкарбазол) - TNF, в котором авторы работы [139] обнаружили зависимость jph - ш, причем показатель степени п возрастает от 0 25 при 300 К до 0 8 при 100 К. Последнее значение соответствует одностадийным перескокам между парой центров, а первое - многостадийным перескокам, вероятность которых повышается с возрастанием температуры. [2]
Характер температурной зависимости подвижности носителей заряда определяется основным механизмом рассеяния. При невысоком уровне легирования кремния наблюдаемые вариации д можно описать приближенно ju го Г 2, и поэтому L почти не зависит от температуры. [3]
Напротив, температурная зависимость подвижности носителей тока в образцах с сильно вырожденным электронным газом целиком определяется ростом интенсивности тепловых колебаний р ( Т), так как в этом случае энергия электронов не зависит от температуры. [4]
В общем случае температурная зависимость подвижности носителей заряда в полупроводниках определяется тремя механизмами рассеяния носителей: рассеянием на тепловых колебаниях атомов решетки, на ионизованных примесях и на дефектах. [5]
Какими физическими факторами объясняется температурная зависимость подвижности носителей заряда. [6]
Основными физическими причинами изменения тока стока являются температурные зависимости подвижности носителей в канале, потенциала ФПОР ( 1 - 37) и значения положительного поверхностного заряда. [7]
Рассеяние электронов при их перемещении объясняет наличие температурной зависимости подвижности носителей тока. [8]
 |
Зависимость электропроводности примесных полупроводников от. [9] |
Поэтому температурная зависимость проводимости полупроводника в этой области определяется температурной зависимостью подвижности носителей. [10]
 |
Зависимость собственной проводимости полупроводника от. [11] |
В то время, как в металлах концентрация носителей заряда практически не зависит от температуры и температурная зависимость их проводимости целиком определяется температурной зависимостью подвижности носителей, в полупроводниках наоборот, концентрация носителей весьма резко зависит от температуры (6.16) и температурная зависимость их проводимости практически полностью определяется температурной зависимостью концентрации носителей. При данной температуре концентрация носителей заряда и проводимость собственных полупроводников определяются шириной их запрещенной зоны. Это наглядно видно из данных табл. 7.4, в которой приведена ширина запрещенной зоны и удельное сопротивление элементов IV группы таблицы Менделеева, имеющих решетку типа алмаза. [12]
После отжига в течение 250 час при 550 С их сопротивление при комнатной температуре возрастало до 40 ом - см. Эти авторы определили температурную зависимость подвижности носителей, которая изменялась в пределах от 56 000 см2 / в - сек при 33 К до 5000 смг / в-сек при 200 К. [13]
 |
Вольтамперные характеристики диода при различных температурах окружающей среды. [14] |
При больших прямых напряжениях U Аф ( 0 3 В для Ge) все падение напряжения сосредоточивается на толще полупроводника и изменение тока определяется температурной зависимостью подвижности носителей. На рис. 3.6 показаны вольтамперные характеристики диода при различных температурах. [15]
Страницы: 1 2