Температурная зависимость - удельная проводимость
Cтраница 1
Температурная зависимость темновой удельной проводимости для кристаллов CdP2, легированных различными примесями, приведена на рис. III.18 ( кривые: ; - 0 5 вес. [1]
 |
Температурные зависимости удельной проводимости полупроводника при различных концентрациях примесей. [2] |
Поэтому температурная зависимость удельной проводимости похожа на температурную зависимость концентрации носителей при очень малых и при больших температурах. В диапазоне температур, соответствующих истощению примесей, когда концентрация основных носителей заряда остается практически неизменной, температурные изменения удельной проводимости обусловлены температурной зависимостью подвижности. [3]
Из температурной зависимости удельной проводимости получаются две энергии активации электропроводности: 0 9 эВ при Т 390 Си 1 5 эВ при более высоких температурах. [4]
 |
Зависимость удельной проводимости от температуры. [5] |
У электронного и дырочного полупроводников температурная зависимость удельной проводимости имеет более сложный вид. В области низких температур ( Т - 60 С) с ростом темпера - 6 туры а резко увеличивается, что обусловлено увеличением концентрации основных носителей заряда, а в области рабочих температур ( - 60 С Т 100 С) о несколько уменьшается. В этом диапазоне концентрация основных носителей заряда остается приблизительно постоянной ( все примесные атомы ионизированы, и тепловая генерация происходит медленно), а подвижность уменьшается, что и приводит к уменьшению удельной проводимости. [6]
Квазиклассическая теория электронного транспорта Блоха-Больц - мана успешно описывает зависимость от концентрации примесей и температурную зависимость удельной проводимости относительно чистых, слабо неупорядоченных проводников. Другие транспортные явления - магнитосопротивление, эффект Холла, теплопроводность и термоэдс - также хорошо описываются этой теорией. Однако когда величина беспорядка ( или концентрация примесей) становится очень большой, возникают новые эффекты, которые нельзя объяснить в рамках теории слабого рассеяния. Матисса, согласно которому вклады в р от беспорядка и температуры аддитивны. Чрезвычайно интересная закономерность была обнаружена в работе ( Mooij, 1973), а именно: для широкого класса неупорядоченных систем ( включающего около сотни различных образцов) производная dp / dT становится отрицательной, когда р превышает некоторое значение, лежащее в диапазоне 80 - 180 fjL l см. Эта почти универсальная тенденция должна иметь столь же универсальное объяснение, которое может только слабо зависеть от конкретных свойств материала. При попытке найти такое объяснение следует помнить, что в теории слабого рассеяния производная dp / dT всегда положительна, так что, очевидно, требуется выход за пределы этой теории. [7]
Кварцевое стекло - плавленый кварц - и плавленый борный ангидрид обладают весьма малой удельной проводимостью. Температурная зависимость удельной проводимости этих стекол значительна: коэффициент b 18 000 К, что указывает на большую энергию освобождения ионов. [9]
 |
Температурные зависимости подвижности нгси-телей заряда при различных концентрациях примесе.| Температурные зависимости удельной проводимости полупроводника при различных концентрациях примесей. [10] |
Удельная проводимость пропорциональна концентрации носителей заряда и их подвижности. Поэтому температурная зависимость удельной проводимости похожа на температурную зависимость концентрации носителей при очень малых и при больших температурах. [11]
Удельная проводимость пропорциональна концентрации носителей заряда и их подвижности. Поэтому температурная зависимость удельной проводимости похожа на температурную зависимость концентраций носителей при очень малых и при больших температурах. [13]
 |
Зависимость удельной проводимости теллурида германия от концентрации. [14] |
Аномальный характер имеют также температурные зависимости удельной проводимости и коэффициента термо - ЭДС. Указанные особенности удается объяснить с помощью модели двух валентных зон с различной плотностью состояний, разделенных энергетическим зазором 0 33 эВ при 100 К, и с учетом межзонного рассеяния. [15]
Страницы: 1 2