Температурная зависимость - диэлектрическая проницаемость
Cтраница 1
Температурная зависимость диэлектрической проницаемости в случае дипольных жидкостей имеет более сложный характер, чем в случае нейтральных. [1]
Температурная зависимость диэлектрической проницаемости и тан-са угла диэлектрических потерь при частоте 100 кГц эпоксидно-полиамино-адных покрытий, содержащих 0 ( /, 6), 10 ( 2, 7), 20 ( 3, 8), 30 ( 4, 9) и 40 ( 5, 10) а / а ( об.) диоксида титана рутильной модификации. [2]
Температурная зависимость диэлектрической проницаемости имеет сложный вид, зависит от структуры вещества и применяемой для измерения частоты. [3]
Температурные зависимости диэлектрической проницаемости вс кристаллов KSN ( см. рис. 6.15), как правило, имеет вид, типичный для сегнетоэлектриков релаксационного типа с размытым фазовым переходом. Как уже говорилось в главах 3 и 4, сложные окислы, содержащие различные катионы в одинаковых кристаллографических положениях, имеют размытые фазовые переходы вследствие флуктуации состава. Это может проявиться в монокристаллах, составы которых соответствуют частично заполненной структуре ТКВБ. [4]
 |
Диэлектрическая проницаемость нейтральных твердых диэлектриков. [5] |
Температурная зависимость диэлектрической проницаемости нейтральных твердых диэлектриков определяется изменением числа молекул в единице объема, и температурный коэффициент диэлектрической проницаемости ТКе может быть подсчитан по формуле ( 31), выведенной для нейтральных жидкостей. [6]
Температурная зависимость диэлектрической проницаемости нейтральных твердых диэлектриков определяется изменением числа молекул в единице объема. [7]
 |
Температурные зависимости емкости конденсатора С с образцам.| Зависимость температуры максимума емкости конденсатора с образцом асфальтобетона или кира Г ахот содержания органической части. [8] |
Изучены температурные зависимости диэлектрической проницаемости образцов с различным содержанием органической части. [9]
Почему температурные зависимости диэлектрической проницаемости титаната бария, снятые при нагреве и охлаждении, могут различаться. [10]
Исследования температурных зависимостей диэлектрической проницаемости 8 и сигнала ГВГ для различных соединений семейства стил-веллита свидетельствует о том, что во всех соединениях, за исключением LaBSiO5, реализуется сегнетоэлектрический фазовый переход II рода, Для LaBSi05 фиксируется температурный гистерезис и скачок s в точке Тс, что указывает на фазовый переход I рода. [11]
Форма температурной зависимости диэлектрической проницаемости является хорошим показателем отклонения структуры кристалла от упорядоченной. На рис. 6.15 представлены полученные в [35] зависимости е ( Л, которые демонстрируют этот эффект. [12]
 |
Температурная зависимость диэлектрической проницаемости кристаллических образцов, отобранных из различных участков були, полученной видоизмененным методом Киропулоса. [13] |
Изучение температурной зависимости диэлектрической проницаемости для кристаллов, отобранных из различных частей були, показали почти одинаковые значения температур Кюри ( рис. 6), что указывает на однородность ее по химическому составу. [14]
 |
Температурная зависимость диэлектрической проницаемости е и тангенса угла диэлектрических потерь tg 6 изотактического поливинилциклогексана. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5